Чигиринский дмитрий: Дмитрий Чигиринский (Dmitry Chigirinskiy) | Facebook

Разное

Содержание

Попечительский совет

Лавров Сергей Викторович
Министр иностранных дел Российской Федерации,
Председатель Попечительского совета МГИМО,
Председатель Наблюдательного совета МГИМО Усманов Алишер Бурханович
Основатель USM Holdings,
Зам. Председателя Попечительского совета МГИМО,
Член Попечительского совета Фонда развития МГИМО Потанин Владимир Олегович
Президент Компании «Интеррос», Президент — председатель Правления ПАО «ГМК Норильский никель», заместитель Председателя Попечительского совета МГИМО, Член Попечительского совета Фонда развития МГИМО Акимов Андрей Игоревич
Председатель Правления «Газпромбанк» (АО) Бажаев Муса Юсупович
Президент АО «Группа Альянс» Белозеров Олег Валентинович
Генеральный директор — председатель правления ОАО «РЖД» Воробьёв Андрей Юрьевич
Губернатор Московской области Груздев Владимир Сергеевич

Председатель Правления Ассоциации юристов России Драчевский Леонид Вадимович
Исполнительный директор Фонда поддержки публичной дипломатии имени А. М.Горчакова Епифанов Андрей Алексеевич
Вице-президент ЗАО «Международная Калийная Компания» Иванов Андрей Робертович
Глава Одинцовского городского округа Кациев Сергей Солтанович
Президент ГК «Мегаполис» Керимов Сулейман Абусаидович
Член комитета Совета Федерации Федерального Собрания Российской Федерации по Регламенту и организации парламентской деятельности Козицын Андрей Анатольевич
Генеральный директор ОАО «УГМК» Конов Дмитрий Владимирович
Председатель правления ПАО «СИБУР Холдинг»
Коробков Дмитрий Анатольевич

Основатель и Президент Группы маркетинговых коммуникаций «АДВ» Косачев Константин Иосифович
Заместитель Председателя Совета Федерации Федерального Собрания Российской Федерации Костин Андрей Леонидович
Президент — председатель правления ПАО Банк ВТБ Кравцов Сергей Сергеевич
Министр просвещения Российской Федерации Краснянский Георгий Леонидович
Президент Некоммерческого партнерства содействия развитию горнодобывающих отраслей промышленности, председатель Совета директоров ООО «КАРАКАН-ИНВЕСТ» Кузовлев Михаил Валерьевич
Член Попечительского совета МГИМО Ломакин Анатолий Геннадьевич
Президент ЗАО «Международная калийная компания» Мединский Владимир Ростиславович
Помощник Президента Российской Федерации Паранянц Роберт Васильевич

Руководитель Холдинга «Славянск ЭКО» Патрушев Дмитрий Николаевич
Министр сельского хозяйства Российской Федерации Паулсен Фредерик
Председатель совета директоров фармацевтической компании Ferring Pharmaceuticals и Почетный Генеральный консул РФ в Лозанне Ремчуков Константин Вадимович
Генеральный директор и главный редактор «Независимой газеты» Сечин Игорь Иванович
Главный исполнительный директор, председатель Правления, заместитель председателя Совета директоров ПАО «НК «Роснефть» Сторчак Сергей Анатольевич
Старший банкир Государственной корпорации развития «ВЭБ. РФ» Судариков Сергей Николаевич
Основной владелец, член совета директоров ГК «Регион» Титов Борис Юрьевич
Уполномоченный при Президенте РФ по правам предпринимателей
Торкунов Анатолий Васильевич

Ректор МГИМО МИД России, академик РАН, Президент Эндаумента МГИМО Ушаков Юрий Викторович
Помощник Президента Российской Федерации Хамчиев Белан Багаудинович
Заместитель председателя Комитета Совета Федерации Федерального Собрания Российской Федерации по аграрно-продовольственной политике и природопользованию Чемезов Сергей Викторович
Генеральный директор Государственной корпорации «Ростех» Шамара Юрий Алексеевич
Председатель Совета директоров ООО «КНГК-ИНПЗ» Шодиев Фаттах Каюмович
Член Совета директоров Евразийского банка,
Совладелец ERG (Евразийская группа) и IMR (International Mineral Resources)
Член Попечительского совета Фонда развития МГИМО Юнаев Авшолум Михайлович
Президент ООО «Информпромтехнология»

ПЕТРУШЕВСКИЙ Дмитрий Моисеевич (01(14).

09.1863 – 12.12.1942)

ПЕТРУШЕВСКИЙ Дмитрий Моисеевич (01(14).09.1863, с. Кобриново Звенигородского у. Киевской губ. – 12.12.1942, Казань). Русский историк-медиевист, первый советский академик-медиевист. Член-корреспондент АН СССР (1924). Академик АН СССР (1929).

Родился в семье приходского священника. Среднее образование он получил в прегимназии в Золотополе (1873–1878, Чигиринский уезд, Киевская губерния) и в коллегии Павла Галагана в Киеве. В 1882 г. он поступил на историческое отделение историко-филологического факультета Петербургского университета, а в 1883 г. перевелся в Киевский университет, где учился под руководством И.В. Лучицкого и Ф.Я. Фортинского.

После окончания (1886 г.) как преуспевающий студент он был оставлен, по предложению профессора И.В. Лучицкого, для приготовления к профессорскому званию по кафедре всеобщей истории сроком на 2 года. В 1888 г. Д.М. Петрушевский был откомандирован в Московский университет, где слушал лекции и посещал семинары П. Г. Виноградова и других московских профессоров. Дважды он ездил в продолжительные командировки в Англию для работы в архивах (1889 и 1890 гг.). В 1889 г. Д.М. Петрушевский сдал магистерский экзамен. Тогда же была опубликована его первая статья, посвященная вопросу о рабочем законодательстве Эдуарда III.

В 1894 г. Петрушевский прочел пробные лекции в Московском университете и был принят на историко-филологический факультет в число приват-доцентов по кафедре всеобщей истории. Тем не менее, вскоре он перешел в Варшавский университет, где преподавал в 1897–1906 гг., будучи сначала экстраординарным, а с 1902 г. – ординарным профессором по кафедре всеобщей истории. С января 1899 г. по январь 1900 г. Петрушевский был в научной командировке в Англии от Министерства народного просвещения. Между тем, он не терял связи с Московским университетом. Вскоре после возвращения из Англии он защитил там вторую часть исследования о восстании Уота Тайлера как докторскую диссертацию. Работа получила признание, и в 1904 г. ему была присуждена «Большая премия Митрополита Макария» от Академии наук.

ПЕТРУШЕВСКИЙ Дмитрий Моисеевич (01(14).09.1863 – 12.12.1942)

Новое русское «дело десятилетия» — Ведомости

Ставшая широко известной история о суде Романа Абрамовича с издательством HarperCollins и журналисткой Кэтрин Бэлтон, написавшей и опубликовавшей в издательстве книгу «Люди Путина. Как КГБ вернул себе Россию и перешел в наступление на Запад», продолжает развиваться в самом драматическом юридическом ключе. Истории вокруг книги становятся куда интереснее сюжетов, описанных в самой книге.

Помимо Абрамовича в суд на издательство, как стало известно в прошедшие майские праздничные дни, подали также совладелец «Альфа-групп» Михаил Фридман, председатель совета директоров Альфа-банка Петр Авен, бизнесмен Шалва Чигиринский и компания «Роснефть». Содержание исковых требований пока не известно, но, скорее всего, они касаются содержащихся в книге характеристик истцов как лиц, «тесно связанных с Владимиром Путиным и выполняющих те или иные указания в его интересах». Интересы широко известных истцов будут представлять также весьма известные в области защиты репутации юридические фирмы Carter-Ruck, CMS, Harbottle & Lewis и Taylor Wessing.

Стоит напомнить, что, согласно юристам Абрамовича, претензии к книге Бэлтон основаны на том, что там «ложно утверждается, что [Абрамович] действовал коррумпированно, и выдвигается ложная информация о покупке [им] футбольного клуба «Челси» и его деятельности». Сам Абрамович указал, что эта информация наносит вред и ему, и членам его семьи, и он фактически вынужден подать иск против издательства.

Новые иски были поданы почти точно к моменту истечения предусмотренного законодательством годичного срока с момента публикации книги, после того как юристам, представляющим истцов, очевидно, не удалось договориться об устраивающем их клиентов мирном урегулировании претензий. The Guardian и некоторые другие британские СМИ, комментируя информацию об этих исках, опубликовали статьи, в которых истцы осуждались за «попытки заткнуть рот свободной прессе» и «использование российскими олигархами независимой британской судебной системы для борьбы с расследовательской журналистикой». Впрочем, в этом нет ничего необычного: подобные высказывания британские медиа делают при подаче практически любого существенного иска российскими бизнесменами в английские суды.

Все вышеуказанные обстоятельства – и прежде всего, конечно, имена пяти связанных с Россией истцов с весьма серьезными контактами, известной активностью в отстаивании своих репутаций, богатым опытом в западных судах, а также практически неограниченными финансовыми ресурсами – делают процесс весьма заметным даже для британских судов с их очень богатой практикой по репутационным делам. А с учетом текущего геополитического момента процесс вообще обещает стать «делом десятилетия», подобным знаменитому делу Березовского против Абрамовича. Решения по делу будут использоваться впоследствии не только профессиональными юристами, но и во многих «антисанкционных» и репутационных процессах в иных юрисдикциях.

Оценивая перспективы сторон, следует иметь в виду, что кроме привычных способов защиты, включающих прежде всего возможность подтверждения истинности сделанных в книге спорных заявлений, отнесения их к категории «обоснованных личных мнений» или доказывания наличия той или иной из предусмотренных законом привилегий, юристы HarperCollins вполне могут попробовать доказать, что издательство совершенно добросовестно было убеждено, что публикация была осуществлена в общественных интересах (s. 4 UK Defamation Act 2013). Однако тут следует учесть не только совокупную юридическую мощь представляющих истцов фирм, но и тот факт, что в распоряжении, в частности, юристов Абрамовича имеется решение Высокого суда, вынесенное еще в 2018 г., в котором бывший российский банкир и сенатор Сергей Пугачев, которого широко цитирует Бэлтон в своей книге, охарактеризован как, мягко говоря, крайне ненадежный свидетель.

Репутационные споры в Великобритании, несмотря на очень высокий уровень ее судебной системы, достаточно слабопредсказуемы, крайне дороги и весьма опасны, причем для репутации как истцов, так и ответчиков, о чем свидетельствуют, например, недавние громкие дела с участием Меган Маркл и Джонни Деппа. Но сам факт, что истцы подобного уровня (не без совета своих юристов) решились на подобный шаг, который, вне всякого сомнения, вызовет огромное общественное внимание, все-таки свидетельствует об их реальных надеждах на выигрыш. В случае успеха они – кроме ничего не значащих для них денег и много значащих извинений – приобретут, во-первых, репутацию непримиримых и удачливых борцов с «очернением» российских бизнесменов, во-вторых, замечательный аргумент во всех последующих репутационных спорах, в-третьих, определенную защиту против вероятных санкций (по крайней мере, европейских). А также доходчиво предупредят всех желающих писать разоблачающие российских олигархов книги, что делать этого не стоит.

Сотрудники ННГУ: Королев Дмитрий Сергеевич

Публикации

2021

Труды (тезисы) конференции

Тетельбаум Д.И., Никольская А.А., Королев Д.С., Алмаев А.В., Чигиринский Ю.И., Михайлов А.Н., Белов А.И., Нежданов А.В., Трушин В.Н., Николичев Д.Е., Giulian R., Kumar M. Синтез и модификация наноструктур на основе оксида галлия методами ионной имплантации и магнетронного осаждения // Нанофизика и наноэлектроника. Труды XXV Международного симпозиума (Нижний Новгород, 9–12 марта 2021 г.) В 2 т. Том 2. — Нижний Новгород: Изд-во Нижегородского госуниверситета, 2021. – C.467. Нанофизика и наноэлектроника. Труды XXV Международного симпозиума (Нижний Новгород, 9–12 марта 2021 г.) В 2 т. Том 2. — Нижний Новгород: Изд-во Нижегородского госуниверситета, 2021. – C.467. 2021. С. 360.

Публикации в научных журналах

Mikhailov A. N., Guseinov D.V., Belov A.I., Korolev D.S., Shishmakova V.A., Koryazhkina M.N., Filatov D.O., Gorshkov O.N., Maldonado D., Alonso F.J., Roldan J.B., Krichigin A.V., Agudov N.V., Dubkov A.A., Karollo A., Spagnolo B. Stochastic resonance in a metal-oxide memristive device // Chaos, Solitons and Fractals. V. 144. 2021. P. 110723 (1-12).

Tetelybaum D.I., Nikolyskaya A.A., Korolev D.S., Mullagaliev T.D., Belov A.I., Trushin V.N., Dudin Yu.A., Nezhdanov A.V., Mashin A.I., Mikhailov A.N., Plechnikov A., Shcheglov M., Nikolaev V., Gogova D. Ion-beam modification of metastable gallium oxide polymorphs // Materials Letters. V. 302. 2021. P. 130346.

Shchanikov S.A., Zuev A., Bordanov I., Danilin S., Lukoyanov V.I., Korolev D.S., Belov A.I., Pigareva Ya.I., Gladkov A.A., Pimashkin A.S., Kazantsev V.B., Serb A. Designing a bidirectional, adaptive neural interface incorporating machine learning capabilities and memristor-enhanced hardware // Chaos, Solitons and Fractals. V. 142. 2021. P. 110504.

Gerasimova S.A., Belov A.I., Korolev D.S., Guseinov D.V., Lebedeva A.V., Koryazhkina M.N., Mikhailov A.N., Kazantsev V.B., Pisarchik A.N. Stochastic Memristive Interface for Neural Signal Processing // Sensors. № 21. V. 16. 2021. P. 5587.

Sidorenko K.V., Korolev D.S., Nikolyskaya A.A., Mikhailov A.N., Chigirinskii Yu.I., Minnullin R.T., Makarov M.E., Sapegin A.A., Barabanenkov M.Yu. Peculiarities of the synthesis of GST films by magnetron sputtering for nonvolatile optical memory cells // Journal of Physics: Conference Series. V. 1695. 2021. P. 012139.

Nikolyskaya A.A., Korolev D.S., Mikhailov A.N., Mullagaliev T.D., Chigirinskii Yu.I., Belov A.I., Nezhdanov A.V., Trushin V.N., Nikolichev D.E., Almaev A.V., Giulian R., Kumar M., Tetelybaum D.I. Non-equilibrium methods for synthesis and modification of gallium oxide // Journal of Physics: Conference Series. V. 2103. 2021. P. 012062.

Коряжкина М.Н., Филатов Д.О., Тихов С.В., Белов А.И., Королев Д.С., Круглов А.

В., Крюков Р.Н., Зубков С.Ю., Воронцов В.А., Павлов Д.А., Тетельбаум Д.И., Михайлов А.Н., Ким С. Электрофизические свойства мемристоров на основе оксида кремния на подложках “кремний-на-изоляторе” // Российские нанотехнологии. № 6. Т. 16. 2021. С. 776-786.

Nikolyskaya A.A., Okulich E.V., Korolev D.S., Stepanov A., Nikolichev D.E., Tetelybaum D.I., Mikhailov A.N., Almaev A., Bolzan C.A., Buaczik A.Jr., Giulian R., Grande P.L., Kumar A., Kumar M., Gogova D. Ion implantation in β-Ga2O3: Physics and technology // Journal of Vacuum Science and Technology A: Vacuum, Surfaces and Films. V. 39. 2021. P. 030802.

2020

Труды (тезисы) конференции

Никольская А.А., Королев Д.С., Конаков А.А., Михайлов А.Н., Белов А.И., Муртазин Р.И., Павлов Д.А., Мухаматчин К.Р., Марычев М.О., Тетельбаум Д.И. Изучение природы фотолюминесценции при 1235 нм в кремнии при облучении кремния и системы SiO2/Si тяжелыми ионами // Нанофизика и наноэлектроника. Труды XXIV Международного симпозиума (Нижний Новгород, 10–13 марта 2020 г.

). Издательство Нижегородского госуниверситета им. Н.И. Лобачевского, Т.2, 505 с. 2020. С. 683–684.

Николичев Д.Е., Крюков Р.Н., Зубков С.Ю., Никольская А.А., Королев Д.С., Михайлов А.Н., Питиримова Е.А., Чигиринский Ю.И., Тетельбаум Д.И. Состав и топография слоев Ga2O3/Si, выращенных магнетронным распылением // XXVIII Российская конференция по электронной микроскопии «Современные методы электронной, зондовой микроскопии и комплементарных методов исследованиях наноструктур и наноматериалов».. XXVIII Российская конференция по электронной микроскопии «Современные методы электронной, зондовой микроскопии и комплементарных методов исследованиях наноструктур и наноматериалов». г. Черноголовка, 7 – 10 сентября 2020 г. Том 2. 272 с.. 2020. С. 151-152.

Шишмакова В.А., Филатов Д.О., Белов А.И., Королев Д.С., Антонов И.Н., Гусейнов Д.В., Михайлов А.Н., Агудов Н.В., Дубков А.А., Спаньоло Б. Экспериментальное обнаружение стохастического резонанса в мемристорах // Труды XXIV научной конференции по радиофизике, посвященной 75-летию радиофизического факультета (Нижний Новгород, 13—31 мая 2020 г. ). Нижний Новгород: ННГУ, 2020. – 530 с.. 2020. С. 444-445.

Nikolyskaya A.A., Korolev D.S., Konakov A.A., Mikhailov A.N., Belov A.I., Murtazin R.I., Pavlov D.A., Tetelbaum D.I. Light-emitting hexagonal 9R-Si phase obtained by Kr+ ion into implan-tation Si and SiO2/Si // 7th International School and Conference «Saint-Petersburg OPEN 2020» on Optoelectronics, Photonics, Engineering and Nanostructures. Saint Petersburg, Russia, April 26 – 30, 2020. Book of Abstracts. St. Petersburg Academic University, 2020.- 543 pp. 2020. P. 96-97.

Белов А.И., Конаков А.А., Королев Д.С., Марычев М.О., Михайлов А.Н., Муртазин Р.И., Никольская А.А., Павлов Д.А., Тетельбаум Д.И. Светоизлучающая гексагональная фаза 9R-Si // Материалы нано-, микро-, оптоэлектроники и волоконной оптики: физические свойства и применение: прогр. и материалы 18-й Междунар. науч. конф.-шк. (Саранск, 15-18 сент. 2020 г.). Саранск: Изд-во Мордов. ун-та, 2020.- 228 с. 2020. С. 155.

Королев Д.С., Никольская А.А., Михайлов А. Н., Белов А.И., Конаков А.А., Муртазин Р.И., Павлов Д.А., Тетельбаум Д.И. Люминесцентные свойства ионно-синтезированных структур, содержащих фазу 9R-Si // XIII Международная конференция «Кремний — 2020». (Республика Крым, г. Ялта, 21-25 сент. 2020 г.). Москва: МАКС Пресс, 2020.- 402 с. 2020. С. 199-202.

Никольская А.А., Королев Д.С., Конаков А.А., Михайлов А.Н., Тетельбаум Д.И. Ионно-лучевой способ формирования светоизлучающих областей гексагональной фазы 9R-Si кремния // Физика полупроводников и наноструктур, полупроводниковая опто- и наноэлектроника : тезисы докладов Всерос. науч. молодежн. конф., 23–27 ноября 2020 г.. СПб. : ПОЛИТЕХ-ПРЕСС, — 111 с.. 2020. С. 22.

Публикации в научных журналах

Guseinov D.V., Korolev D.S., Belov A.I., Okulich E.V., Okulich V.I., Tetelybaum D.I., Mikhailov A.N. Flexible Monte-Carlo approach to simulate electroforming and resistive switching in filamentary metal-oxide memristive devices // Modelling and Simulation in Materials Science and Engineering. № 28. V. 1. 2020. P. 015007.

Tikhov S.V., Belov A.I., Korolev D.S., Antonov I.N., Sushkov A.A., Pavlov D.A., Tetelbaum D.I., Gorshkov O.N., Mikhailov A.N. Electrophysical Characteristics of Multilayer Memristive Nanostruc-tures Based on Yttria-Stabilized Zirconia and Tantalum Oxide // Technical Physics. № 2. V. 65. 2020. P. 284–290.

Nikolskaya A.A., Korolev D.S., Mikhaylov A.N., Konakov A.A., Belov A.I., Marychev M.O., Murtazin R.I., Pavlov D.A., Tetelbaum D.I. Photoluminescence of silicon at 1235 nm produced by irradiation of SiO2/Si with Kr+ ions and subsequent high-temperature annealing // Surface and Coatings Technology. V. 386. 2020. P. 125496(1-4).

Mikhaylov A.N., Belov A.I., Korolev D.S., Antonov I.N., Kotomina V.E., Kotina A.Yu., Gryaznov E.G., Sharapov A.N., Koryazhkina M.N., Kryukov R.N., Zubkov S.Yu., Sushkov A.A., Pavlov D.A., Tikhov S.V., Morozov O.A., Tetelbaum D.I. Multilayer Metal-Oxide Memristive Device with Stabilized Resistive Switching // Advanced Materials Technologies. № 5. V. 5. 2020. P. 1900607(1-9).

Nikolyskaya A.A., Korolev D.S., Tereshchenko A.N., Pavlenkov V.I., Nagornyh S.N., Belov A.I., Vasiliev V.K., Mikhaylov A.N., Tetelbaum D.I. Temperature dependence of dislocation-related photoluminescence (D1) of self-implanted silicon subjected to additional boron implantation // Nuclear Instruments and Methods in Physics Research, Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms. V. 472. 2020. P. 32-35.

Danilin S., Shchanikov S.A., Zuev A., Bordanov I., Korolev D.S., Belov A.I., Pimashkin A.S., Mikhailov A.N., Kazantsev V.B. Design of Multilayer Perceptron Network Based on Metal-Oxide Memristive Devices // 12th International Conference on Developments in eSystems Engineering (DeSE). 2020. P. 533-538.

Rajbhar M.K., Raiamani S., Singh G.H., Surodin S.I., Nikolichev D.E., Kryukov R.N., Korolev D.S., Nikolyskaya A.A., Belov A.I., Mikhaylov A.N., Tetelybaum D.I., Kumar M. Gallium nitride nanocrystal formation in Si3N4 matrix by ion synthesis // Bulletin of Materials Science. V. 43. 2020. P. 234.

Щаников С.А., Зуев А.Д., Борданов И.А., Данилин С.Н., Королев Д.С., Белов А.И., Пигарева Я.И., Пимашкин А.С., Михайлов А.Н., Казанцев В.Б. Проектирование и прототипирование многослойного персептрона на основе мемристивных устройств для двунаправленного адаптивного нейроинтерфейса // Наноиндустрия. № S4 (99). Т. 13. 2020. С. 577-578.

Михайлов А.Н., Королев Д.С., Белов А.И., Герасимова С.А., Мищенко М.А., Гусейнов Д.В., Коряжкина М.Н., Тетельбаум Д.И., Филатов Д.О., Горшков О.Н., Агудов Н.В., Дубков А.А., Казанцев В.Б., Спаньоло Б. Мемристивные устройства под действием нейроноподобной активности и шума // Наноиндустрия. № S4 (99). Т. 13. 2020. С. 561-562.

Nikolyskaya A.A., Korolev D.S., Mikhaylov A.N., Konakov A.A., Belov A.I., Marychev M.O., Murtazin R. I., Pavlov D.A., Tetelbaum D.I. Photoluminescence of silicon at 1235 nm produced by irradiation of SiO2/Si with Kr+ ions and subsequent high-temperature annealing // Surface and Coatings Technology. V. 386. 2020. P. 125496.

Nikolyskaya A.A., Korolev D.S., Konakov A.A., Mikhailov A.N., Murtazin R.I., Pavlov D.A., Tetelbaum D.I. Light-emitting hexagonal 9R-Si phase obtained by implantation of Kr+ ions in Si and SiO2/Si // Journal of Physics: Conference Series. V. 1695. 2020. P. 012031(1-5).

Nikolyskaya A.A., Korolev D.S., Konakov A.A., Mikhailov A.N., Belov A.I., Marychev M.O., Murtazin R.I., Pavlov D.A., Tetelybaum D.I. Light-emitting hexagonal 9R-Si phase obtained by implantation of Kr+ions in Si and SiO2/Si // Journal of Physics: Conference Series. № Issue 1. V. 1695. 2020. P. Статья № 012031.

Rajbhar M.K., Rajamani S., Singh S.K., Surodin S., Nikolichev D.E., Kryukov R.N., Korolev D.S., Nikolyskaya A.A., Belov A.I., Nezhdanov A.V., Mikhailov A.N., Tetelybaum D.I., Kumar M. Gallium nitride nanocrystal formation in Si3N4 matrix by ion synthesis // Bulletin of Materials Science. № 43. V. 234. 2020. P. 1-9.

2019

Труды (тезисы) конференции

Тихов С.В., Михайлов А. Н., Белов А.И., Королев Д.С., Антонов И.Н., Шенина М.Е., Сушков А.А., Милин В.Е., Зубков С.Ю., Павлов Д.А., Тетельбаум Д.И., Горшков О.Н. Повышение воспроизводимости резистивного переключения в многослойных мемристивных наноструктурах на основе стабилизированного иттрием оксида циркония // Материалы ХХIII Международного симпозиума «Нанофизика и Наноэлектроника». ННГУ им. Н.И.Лобачевского, т.2, 2 страницы. 2019. С. 758-759.

Никольская А.А., Королев Д.С., Михайлов А.Н., Белов А.И., Сушков А.А., Кривулин Н.О., Марычев М.О., Мухаматчин К.Р., Елизарова А.А., Конаков А.А., Тетельбаум Д.И., Павлов Д.А. Светоизлучающая 9R фаза кремния, сформированная методом ионной имплантации инертного газа в подложки SiO2/Si // XXIII Международный Симпозиум «Нанофизика и наноэлектроника». Труды симпозиума. Нижний Новгород, 11-14 марта. 2019. С. 780-781.

Королев Д.С., Терещенко А.Н., Никольская А.А., Михайлов А.Н., Белов А.И., Тетельбаум Д.И. Исследование дислокационной фотолюминесценции в кремнии при вариации параметров ионного синтеза // XLIX Международная Тулиновская конференция по физике взаимодействия заряженных частиц с кристаллами (ФВЗЧК-2019). Тезисы докладов. Москва, 29 — 31 мая. 2019. С. 143.

Никольская А.А., Королев Д.С., Михайлов А.Н., Белов А.И., Сушков А.А., Муртазин Р.И., Павлов Д.А., Конаков А.А., Мухаматчин К.Р., Тетельбаум Д.И. Формирование гексагональной фазы кремния при ионной имплантации в плёнку SiO2 на Si // XLIX Международная Тулиновская конференция по физике взаимодействия заряженных частиц с кристаллами (ФВЗЧК-2019). Тезисы докладов. Москва, 29 — 31 мая. 2019. С. 9.

Korolev D.S., Nikolskaya A.A., Tereshchenko A.N., Mikhailov A.N., Belov A.I., Tetelybaum D.I. Towards an efficient light-emitting source based on self-implanted silicon with dislocationrelated luminescence // 6th International School and Conference on Optoelectronics, Photonics, Engineering and Nanostructures. Book of abstracts. Saint Petersburg, April 22-25. 2019. P. 374-375.

Михайлов А.Н., Белов А.И., Королев Д.С., Антонов И.Н., Зубков С.Ю., Шенина М.Е., Милин В.Е., Сушков А.А., Павлов Д.А., Тетельбаум Д.И., Горшков О.Н., Тихов С. В. Повышение воспроизводимости резистивного переключения в многослойных мемристивных наноструктурах на основе стабилизированного иттрием оксида циркония // XXIII Международный Симпозиум «Нанофизика и наноэлектроника». Труды симпозиума. Нижний Новгород, 11-14 марта, Т.2. 2019. С. 758-759.

Никольская А.А., Королев Д.С., Михайлов А.Н., Белов А.И., Конаков А.А., Чигиринский Ю.И., Сушков А.А., Павлов Д.А., Тетельбаум Д.И. Изучение механизмов формирования светоизлучающей гексагональной фазы 9R-Si // Международная научная конференция студентов, аспирантов и молодых учёных «Ломоносов-2019». Материалы докладов. Москва, 8-12 апреля. 2019. С. 918-919.

Nikolskaya A.A., Korolev D.S., Mikhaylov A.N., Belov A.I., Antonov A.E., Konakov A.A., Chigirinskii Yu.I., Sushkov A.A., Pavlov D.A., Tetelbaum D.I. Mechanism of formation of light-emitting hexagonal phase 9R-Si // 6th International School and Conference on Optoelectronics, Photonics, Engineering and Nanostructures. Book of abstracts. Saint Petersburg, April 22-25. 2019. P. 109-110.

Mikhaylov A.N., Korolev D.S., Belov A.I., Gerasimova S.A., Guseinov D.V., Tikhov S.V., Tetelbaum D.I., Gorshkov O.N., Koryazhkina M.N., Agudov N.V., Dubkov A.A., Emelyyanov A.V., Nikiruy K.E., Demin A.V., Spanyolo B. From device engineering and adaptive programming to stochastic multistable models of metal-oxide memristors // International Conference on Memristive Materials, Devices & Systems (MEMRISYS). Conference Proceedings. Dresden, Germany, 8-11 July. 2019. P. 98.

Королев Д.С., Никольская А.А., Терещенко А.Н., Михайлов А.Н., Белов А.И., Павлов Д.А., Сушков А.А., Тетельбаум Д.И. Новые ионно-лучевые подходы к формированию кремниевых светоизлучающих наноматериалов // XXIX Международная конференция «Радиационная физика твердого тела». Тезисы докладов. Севастополь, 08 — 13 июля. 2019. С. 140-147.

Nikolskaya A.A., Korolev D.S., Mikhaylov A.N., Belov A.I., Pavlov D.A., Sushkov A.A., Konakov A.A., Tetelbaum D.I. Properties of Hexagonal Silicon (9R Phase) Synthesized by Ion Implantation Into SiO2/Si // German-Russian Travelling Seminar “Nanomaterials and Large-Scale Research Centers”. Book of abstracts. Irkutsk – Lake Baikal – Novosibirsk – Moscow, July 30 – August 10. 2019. P. 12.

Korolev D.S., Tereshchenko A.N., Nikolskaya A.A., Mikhaylov A.N., Belov A.I., Tetelbaum D.I. Influence of ion implantation and heat treatment regimes on dislocation-related photoluminescence in self-implanted silicon // The 24th International Conference on Ion-Surface Interactions (ISI-2019). Proceedings of the XXIV International Conference. Moscow, August 19-23. 2019. P. 198-201.

Tetelbaum D.I., Nikolskaya A.A., Korolev D.S., Mikhaylov A.N., Belov A.I., Marychev M.O., Konakov A.A., Chigirinskii Yu.I., Sushkov A.A., Pavlov D.A. Formation of light-emitting layers in Si at ion implantation in SiO2 on Si // 20th International conference on Radiation Effects in Insulators. Book of abstracts. Nur-Sultan (Astana), Kazakhstan, August 19-23. 2019. P. 178.

Tetelbaum D.I., Korolev D.S., Nikolskaya A.A., Mikhaylov A.N., Belov A.I., Marychev M.O., Konakov A.A., Chigirinskii Yu.I. , Sushkov A.A., Pavlov D.A., Tereshchenko A.N., Pavlenkov V., Nagornykh S. Ion-beam modification of Si and SiO2/Si structures for the development of light-emitting silicon-based devices // The 21st International Conference on Surface Modification of Materials by Ion Beams. Abstract Book. Tomsk, August 25-30. 2019. P. 21.

Королев Д.С., Никольская А.А., Белов А.И., Михайлов А.Н., Тетельбаум Д.И. Эволюция дефектной структуры при ионном синтезе гексагональной фазы кремния // 13-я Международная конференция «Взаимодействие излучений с твердым телом». Материалы докладов. Минск, Беларусь, 30 сентября – 3 октября. 2019. С. -.

Guseinov D.V., Korolev D.S., Belov A.I., Okulich E.V., Okulich V.I., Gerasimova S.A., Tetelbaum D.I., Mikhaylov A.N., Kazantsev V.B. Atomistic and dynamical stochastic models of metal-oxide memristive devices // International Conference “New Trends in Nonequilibrium Stochastic Multistable Systems and Memristors (NES2019)”. Book of abstracts. Erice, Italy, October 18-21. 2019. P. 23.

Korolev D.S., Okulich E.V., Koryazhkina M.N., Shuiski R.A., Belov A.I., Shenina M.E., Mikhaylov A.N., Gorshkov O.N., Tetelbaum D.I., Okulich V.I., Antonov I.N., Dudin Yu.A., Spagnolo B. Effect of irradiation with Si+ ions on resistive switching in memristive structures based on yttria-stabilized zirconia and silicon dioxide // International Conference “New Trends in Nonequilibrium Stochastic Multistable Systems and Memristors (NES2019)”. Book of abstracts. Erice, Italy, October 18-21. 2019. P. 27.

Никольская А.А., Королев Д.С., Антонов А.Е., Конаков А.А., Михайлов А.Н., Тетельбаум Д.И. Исследование природы фотолюминесценции системы SiO2/Si, облученной ионами Kr+ // XXI Всероссийская молодежная конференция по физике полупроводников и наноструктур, полупроводниковой опто- и наноэлектронике. Тезисы докладов. Санкт-Петербург, 25-29 ноября. 2019. С. 38.

Mikhailov A.N., Korolev D.S., Belov A.I., Mishchenko M.A., Lebedeva A.V., Gerasimova S.A., Kazantsev V.B. Towards implementation of collective dynamics of stochastic memristor-coupled artificial neurons // New Trends in Nonequilibrium Stochastic Multistable Systems and Memristors. Book of abstracts. Erice, Italy: University of Palermo, 2019. — 52 p.. 2019. P. 30.

Публикации в научных журналах

Emelyanov A.V., Nikiruy K.E., Demin V.A., Rylkov V.V., Belov A.I., Korolev D.S., Gryaznov E.G., Pavlov D.A., Gorshkov O.N., Mikhaylov A.N., Dimitrakis P. Yttria-stabilized zirconia cross-point memristive devices for neuromorphic computing // Microelectronic Engineering. V. 215. 2019. P. 110988.

Tereshchenko A.N., Korolev D.S., Khorosheva M., Mikhaylov A.N., Belov A.I., Nikolskaya A.A., Tetelbaum D.I. The Effects of Aluminum Gettering and Thermal Treatments on the Light-Emitting Properties of Dislocation Structures in Self-Implanted Silicon Subjected to Boron Ion Doping // PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE. V. 216. 2019. P. 1900323.

Okulich E.V., Koryazhkina M. N., Korolev D.S., Belov A.I., Shenina M.E., Mikhaylov A.N., Tetelbaum D.I., Antonov I.N., Dudin Yu.A. The Effect of Irradiation with Si+ Ions on Resistive Switching in Memristive Structures Based on Yttria-Stabilized Zirconia // Technical Physics Letters. № 7. V. 45. 2019. P. 690–693.

Nikolskaya A.A., Korolev D.S., Mikhaylov A.N., Belov A.I., Konakov A.A., Chigirinskii Yu.I., Sushkov A.A., Pavlov D.A., Tetelbaum D.I. Mechanism of formation of light-emitting silicon hexagonal phase 9R-Si // Journal of Physics: Conference Series. V. 1410. 2019. P. 012037.

Korolev D.S., Nikolskaya A.A., Tereshchenko A.N., Mikhaylov A.N., Belov A.I., Tetelbaum D.I. Towards an efficient light-emitting source based on self-implanted silicon with dislocation-related luminescence // Journal of Physics: Conference Series. V. 1410. 2019. P. 012152.

Mikhaylov A.N., Belov A.I., Korolev D.S., Antonov I.N., Kotomina V.E., Kotina A.Yu., Gryaznov E.G., Sharapov A.N., Koryazhkina M.N., Kryukov R.N., Zubkov S. Yu., Sushkov A.A., Pavlov D.A., Tikhov S.V., Morozov O.A., Tetelbaum D.I. Multilayer Metal-Oxide Memristive Device with Stabilized Resistive Switching // Advanced Materials Technologies. V. 5. 2019. P. 1900607.

Sharma N.L., Rajamani S., Shengurov V.G., Baidus N.V., Korolev D.S., Nikolyskaya A.A., Mikhaylov A.N., Tetelbaum D.I., Kumar M. Sequential nitrogen ion implantation in Si-based GaAs matrix and subsequent thermal annealing process: electrical characterization // Proceedings of the Indian National Science Academy. № 3. V. 85. 2019. P. 681-687.

Mikhaylov A.N., Belov A.I., Korolev D.S., Gerasimova S.A., Antonov I.N., Okulich E.V., Shuiskiy R.A., Tetelbaum D.I. Effect of ion irradiation on resistive switching in metal-oxide memristive nanostructures // Journal of Physics: Conference Series. V. 1410. 2019. P. 012245.

2018

Труды (тезисы) конференции

Filatov D.O., Gorshkov O.N., Mikhailov A.N., Korolev D.S., Koryazhkina M.N., Ryabova M.A., Antonov I.N., Shenina M. E., Pavlov D.A., Dunaevskii M.S. Investigation of local charge accumulation in yttria stabilized zirconia films with Au nanoparticles by Scanning Kelvin Probe Microscopy // “Saint Petersburg OPEN 2018” 5th International School and Conference on Optoelectronics, Photonics, Engineering and Nanostructures. St Petersburg, Russia, April 2-5, 2018. BOOK of ABSTRACTS. Academic University Publishing St. Petersburg, 2018, 621 p.. 2018. P. 573-574.

Никольская А.А., Королев Д.С., Михайлов А.Н., Белов А.И., Кривулин Н.О., Павлов Д.А., Тетельбаум Д.И. Формирование включений кремния гексагональной фазы при ионной имплантации в структуру SiO2/Si // Сборник тезисов XXII международного симпозиума «Нанофизика и Наноэлектроника». Типография ННГУ, Н. Новгород, 12-15 марта, Т.2, 390 стр. 2018. С. 717-718.

Nikolskaya A.A., Korolev D.S., Mikhaylov A.N., Belov A.I., Sushkov A.A., Pavlov D.A., Tetelbaum D.I. Formation of hexagonal silicon inclusions in Si-based systems // Book of abstracts. 5th International School and Conference on Optoelectronics, Photonics, Engineering and Nanostructures. Published by St. Petersburg Academic University, Saint Petersburg, April 2-5, 621 стр. 2018. P. 94-95.

Королев Д.С., Михайлов А.Н., Белов А.И., Никольская А.А., Терещенко А.Н., Штейнман Э.А., Тетельбаум Д.И., Нагорных С.Н., Павленков В.И. Температурная зависимость дислокационной фотолюминесценции в ионно-имплантированном кремнии, дополнительно легированном акцепторными примесями // Тезисы докладов XLVIII Международной Тулиновской конференции по физике взаимодействия заряженных частиц с кристаллами. М.: «КДУ», «Университетская книга», Москва, 29-31 мая, 206 стр. 2018. С. 131.

Никольская А.А., Королев Д.С., Михайлов А.Н., Белов А.И., Сушков А.А., Павлов Д.А., Тетельбаум Д.И. Свойства гексагонального кремния, синтезируемого с помощью ионной имплантации // Тезисы докладов XLVIII Международной Тулиновской конференции по физике взаимодействия заряженных частиц с кристаллами. М.: «КДУ», «Университетская книга», Москва, 29-31 мая, 206 стр. 2018. С. 155.

Никольская А.А., Тетельбаум Д. И., Королев Д.С. Исследование свойств гексагональной фазы 9R-Si, полученной с помощью ионной имплантации в системе SiO2/Si // Сборник докладов конференции научной молодежи физического факультета ННГУ. ННГУ им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, 11 мая, 29 стр. 2018. С. 20-23.

Никольская А.А., Королев Д.С., Михайлов А.Н., Белов А.И., Сушков А.А., Павлов Д.А., Тетельбаум Д.И. Формирование гексагональных включений кремния в системе SiO2/Si с помощью ионной имплантации // XXIII Нижегородская сессия молодых ученых. Княгинино : НГИЭУ, Нижний Новгород, 22-23 мая, Т.2, 226 стр. 2018. С. 36-37.

Korolev D.S., Tereshchenko A.N., Nikolskaya A.A., Mikhaylov A.N., Belov A.I., Shteinman E.A., Tetelbaum D.I. Influence of boron implantation and gettering on light-emitting properties of dislocation structures in ion-implanted silicon // E-MRS Spring Meeting 2018. Abstracts, France, Strasbourg. 2018. P. K.P1.31.

Sidorenko K.V., Shenina M.E., Korolev D.S., Mikhaylov A.N., Tetelbaum D. I., Gorshkov O.N. Self-consistent Monte-Carlo simulation of ion, electron and heat transport in ZrO2(Y)-based memristive nanostructures // E-MRS Spring Meeting 2018. Abstracts, France, Strasbourg. 2018. P. K.P1.32.

Никольская А.А., Королев Д.С., Тетельбаум Д.И., Михайлов А.Н., Белов А.И., Сушков А.А., Павлов Д.А. Синтез и свойства гексагональной модификации 9R-Si, полученной с помощью ионной имплантации // Сборник трудов XIII Всероссийской Научной конференция молодых ученых «Наноэлектроника, Нанофотоника и Нелинейная физика». Издательство «Техно-Декор», Саратов, 4-6 сентября, 404 стр. 2018. С. 209-210.

Никольская А.А., Королев Д.С., Михайлов А.Н., Белов А.И., Сушков А.А., Павлов Д.А., Тетельбаум Д.И. Исследование свойств гексагонального кремния, полученного с помощью ионной имплантации // Материалы нано-, микро-, оптоэлектроники и волоконной оптики: физические свойства и применение. Издательство Мордовского университета, Саранск, 18-21 сентября, 224 стр. 2018. С. 182.

Никольская А. А., Королев Д.С., Михайлов А.Н., Белов А.И., Мухаматчин К.Р., Елизарова А.А., Конаков А.А., Сушков А.А., Павлов Д.А., Тетельбаум Д.И. Диагностика образования и свойств включений гексагонального кремния, полученных методом ионной имплантации // Труды X Всероссийской школы-семинара студентов, аспирантов и молодых ученых по направлению «Диагностика наноматериалов и наноструктур». Типография РГРУ, Рязань, 01-06 октября, Т.2, 176 стр. 2018. С. 147.

Никольская А.А., Королев Д.С., Михайлов А.Н., Белов А.И., Тетельбаум Д.И. Фотолюминесцентная спектроскопия кремния с центрами дислокационной люминесценции, сформированных имплантацией ионов Si+ // Труды X Всероссийской школы-семинара студентов, аспирантов и молодых ученых по направлению «Диагностика наноматериалов и наноструктур». Типография РГРУ, Рязань, 01-06 октября, Т.2, 176 стр. 2018. С. 152.

Mikhaylov A.N., Belov A.I., Korolev D.S., Antonov I.N., Zubkov S.Yu., Shenina M.E., Milin V.E., Sushkov A.A., Pavlov D.A., Tetelbaum D.I., Gorshkov O. N. Improvement of resistive switching reproducibility by stabilized oxygen exchange in Au/Ta/ZrO2(Y)/Ta2O5/TiN/Ti devices // INTERNATIONAL WORKSHOP From ReRAM and Memristors to new Computing Paradigms. Book of Abstracts, Rethymno, Crete, Greece, October 28-31, 35 стр. 2018. P. 18.

Korolev D.S., Belov A.I., Antonov I.N., Gerasimova S.A., Pigareva Ya.I., Pimashkin A.S., Gorshkov O.N., Tetelbaum D.I., Mikhaylov A.N. Dynamic response of metal-oxide memristive devices to complex electric signals // INTERNATIONAL WORKSHOP From ReRAM and Memristors to new Computing Paradigms. Book of Abstracts, Rethymno, Crete, Greece, October 28-31, 35 стр. 2018. P. 15.

Королев Д.С., Белов А.И., Антонов И.Н., Герасимова С.А., Пигарева Я.И., Пимашкин А.С., Горшков О.Н., Тетельбаум Д.И., Михайлов А.Н. Мемристивные структуры на основе оксидных диэлектриков для применения в нейроморфных системах нового поколения // Сборник докладов VIII Международной научной конференции «Актуальные проблемы физики твердого тела». Минск: Ковчег, Минск, Беларусь, 24-28 сентября, Т.2, 286 стр. 2018. С. 249-250.

Терещенко А.Н., Королев Д.С., Никольская А.А., Михайлов А.Н., Белов А.И., Тетельбаум Д.И., Хорошева М.А., Штейнман Э.А. Влияние геттерирования на температурную зависимость дислокационной люминесценции в ионно-имплантированном кремнии // Сборник тезисов XII Международной конференции КРЕМНИЙ-2018. Российская Академия наук, Черноголовка, 22-26 ноября, 130 стр. 2018. С. 31.

Королев Д.С., Никольская А.А., Михайлов А.Н., Белов А.И., Сушков А.А., Павлов Д.А., Тетельбаум Д.И. Исследование особенностей формирования и люминесцентных свойств гексагональных фаз кремния, синтезированных с применением ионной имплантации // Сборник тезисов XII Международной конференции КРЕМНИЙ-2018. Российская Академия наук, Черноголовка, 22-26 ноября, 130 стр. 2018. С. 87.

Tetelbaum D.I., Mikhaylov A.N., Belov A.I., Korolev D.S., Okulich E.V., Okulich V.I., Shuisky R.A., Guseinov D.V., Gryaznov E.G., Stepanov A.V., Gorshkov O. N. Ion Implantation in the Technology of Metal-Oxide Memristive Devices // XII International Conference on Ion implantation and other applications of ions and electrons. Book of Abstracts, Kazimierz Dolny, Poland, June 18-21, 137 стр. 2018. P. 122.

Tetelbaum D.I., Nikolskaya A.A., Korolev D.S., Mikhaylov A.N., Belov A.I., Sushkov A.A., Pavlov D.A. Synthesis of hexagonal silicon by ion implantation // XII International Conference on Ion implantation and other applications of ions and electrons. Book of Abstracts, Kazimierz Dolny, Poland, June 18-21, 137 стр. 2018. P. 123.

Никольская А.А., Королев Д.С., Тетельбаум Д.И., Мухаматчин К.Р., Михайлов А.Н., Белов А.И., Сушков А.А., Павлов Д.А., Кривулин Н.О., Елизарова А.А., Конаков А.А. Структура и оптические свойства гексагональной модификации кремния, полученной методом ионной имплантации // «Физические и физико-химические основы ионной имплантации». Тезисы докладов VII Всероссийской конференции (Нижний Новгород, 7-9 ноября 2018 г. ). Отпечатано в РИУ Нижегородского госуниверситета им. Н.И. Лобачевского, Н. Новгород, 174 стр.. 2018. С. 28.

Королев Д.С., Терещенко А.Н., Никольская А.А., Белов А.И., Михайлов А.Н., Штейнман Э.А., Тетельбаум Д.И. Температурная зависимость дислокационной люминесценции в ионно-имплантированном кремнии, дополнительно облученном ионами бора и подвергнутом внешнему геттерированию // Тезисы докладов VII Всероссийской конференции и школы молодых ученых и специалистов «Физические и физико-химические основы ионной имплантации». Типография ННГУ им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, 7-9 ноября, 174 стр. 2018. С. 32.

Терещенко А.Н., Королев Д.С., Никольская А.А., Михайлов А.Н., Белов А.И., Тетельбаум Д.И. Дефектная люминесценция в кремнии, имплантированном ионами кислорода // Тезисы докладов VII Всероссийской конференции и школы молодых ученых и специалистов «Физические и физико-химические основы ионной имплантации». Типография ННГУ им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, 7-9 ноября, 174 стр. 2018. С. 33.

Коряжкина М.Н., Окулич Е.В., Горшков О.Н., Тетельбаум Д.И., Михайлов А.Н., Белов А.И., Королев Д.С., Шуйский Р.А., Антонов И.Н., Васильев В.К. Влияние облучения ионами Si и постимплантационного отжига на параметры резистивного переключения в мемристивных структурах на основе // Тезисы докладов VII Всероссийской конференции и школы молодых ученых и специалистов «Физические и физико-химические основы ионной имплантации». Типография ННГУ им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, 7-9 ноября, 174 стр. 2018. С. 150.

Шуйский Р.А., Окулич Е.В., Окулич В.И., Белов А.И., Королев Д.С., Михайлов А.Н., Чигиринский Ю.И., Тетельбаум Д.И. Влияние ионной имплантации на параметры формовки и переключения мемристивных структур на основе диоксида кремния // Тезисы докладов VII Всероссийской конференции и школы молодых ученых и специалистов «Физические и физико-химические основы ионной имплантации». Типография ННГУ им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, 7-9 ноября, 174 стр. 2018. С. 153.

Никольская А.А., Королев Д.С., Сушков А.А., Конаков А.А., Михайлов А.Н., Тетельбаум Д.И. Изучение светоизлучающей гексагональной фазы 9R-Si // Тезисы докладов XX Всероссийской молодежной конференции по физике полупроводников и наноструктур, полупроводниковой опто- и наноэлектронике. Издательство Политехнического университета, Санкт-Петербург, 26-30 ноября, 128 стр. 2018. С. 121.

Монографии

Tetelbaum D.I., Mikhaylov A.N., Belov A.I., Korolev D.S., Okulich E.V., Okulich V.I., Shuisky R.A., Guseinov D.V., Gryaznov E.G., Gorshkov O.N. Ion implantation in the technology of metal-oxide memristive devices. New York:: Nova Science Publishers, Inc. — Ion Implantation: Synthesis, Applications and Technology / A.D. Pogrebnyak (Ed.), ISBN: 978-1-53613-962-4.. 2018.

Публикации в научных журналах

Koryazhkina M.N., Tikhov S.V., Mikhaylov A.N., Belov A.I., Korolev D.S., Antonov I.N., Karzanov V.V., Gorshkov O.N., Tetelbaum D.I., Karakolis P., Dimitrakis P. Bipolar resistive switching in metal-insulator-semiconductor nanostructures based on silicon nitride and silicon oxide // Journal of Physics: Conference Series. V. 993. 2018. P. 012028.

Gerasimova S.A., Mikhailov A.N., Belov A.I., Korolev D.S., Guseinov D.V., Lebedeva A.V., Gorshkov O.N., Kazantsev V.B. Design of memristive interface between electronic neurons // AIP Conference Proceedings. № 1959. V. 1. 2018. P. 090005.

Mikhaylov A.N., Morozov O.A., Ovchinnikov P.E., Antonov I.N., Belov A.I., Korolev D.S., Sharapov A.N., Gryaznov E.G., Gorshkov O.N., Pigareva Ya.I., Pimashkin A.S., Lobov S.A., Kazantsev V.B. One-Board Design and Simulation of Double-Layer Perceptron Based on Metal-Oxide Memristive Nanostructures // IEEE Transactions on Emerging Topics in Computational Intelligence. № 5. V. 2. 2018. P. 371-379.

Nikolskaya A.A., Korolev D.S., Mikhaylov A.N., Belov A.I., Sushkov A.A., Krivulin N.O., Mukhamatchin K.R., Elizarova A.A., Tetelbaum D.I., Pavlov D.A. Light-emitting 9R-Si phase formed by Kr+ ion implantation into SiO2/Si substrate // Applied Physics Letters. № 18. V. 113. 2018. P. 182103.

Rajamani S., Arora K. , Konakov A.A., Belov A.I., Korolev D.S., Nikolskaya A.A., Mikhaylov A.N., Surodin S., Kryukov R.N., Nikolichev D.E., Sushkov A.A., Pavlov D.A., Tetelbaum D.I., Kumar Mukesh, Kumar Mahesh Deep UV Narrow-Band Photodetector Based on Ion Beam Synthesized Indium Oxide Quantum Dots in Al2O3 Matrix // Nanotechnology. V. 29. 2018. P. 305603.

Rajamani S., Arora K., Belov A.I., Korolev D.S., Nikolskaya A.A., Usov Yu.V., Pavlov D.A., Mikhaylov A.N., Tetelbaum D.I., Kumar Mukesh, Kumar Mahesh Enhanced Solar-blind Photodetection Performance of Encapsulated Ga2O3 Nanocrystals in Al2O3 Matrix // IEEE Sensors Journal. № 10. V. 18. 2018. P. 4046-4052.

Tikhov S.V., Mikhaylov A.N., Belov A.I., Korolev D.S., Antonov I.N., Karzanov V.V., Gorshkov O.N., Tetelbaum D.I., Karakolis P., Dimitrakis P. Role of highly doped Si substrate in bipolar resistive switching of silicon nitride MIS-capacitors // Microelectronic Engineering. V. 187-1. 2018. P. 134-138.

Korolev D.S., Belov A.I., Okulich E. V., Okulich V.I., Antonov I.N., Gryaznov E.G., Gorshkov O.N., Tetelbaum D.I., Mikhaylov A.N. Manipulation of resistive state of silicon oxide memristor by means of current limitation during electroforming // Superlattices and Microstructures. V. 122. 2018. P. 371-376.

Koryazhkina M.N., Tikhov S.V., Mikhaylov A.N., Belov A.I., Korolev D.S., Antonov I.N., Karzanov V.V., Gorshkov O.N., Tetelbaum D.I., Karakolis P., Dimitrakis P. Bipolar resistive switching in metal-insulator-semiconductor nanostructures based on silicon nitride and oxide // Journal of Physics: Conference Series. V. 993. 2018. P. 012028.

Tereshchenko A.N., Korolev D.S., Mikhaylov A.N., Belov A.I., Nikolskaya A.A., Pavlov D.A., Tetelbaum D.I., Shteinman E.A. Effect of Boron Impurity on the Light-Emitting Properties of Dislocation Structures Formed in Silicon by Si+ Ion Implantation // Semiconductors. № 7. V. 52. 2018. P. 843-848.

Nikolskaya A.A., Korolev D.S., Mikhaylov A.N., Belov A.I., Sushkov A.A., Pavlov D. A., Tetelbaum D.I. Formation of hexagonal silicon regions in silicon // Journal of Physics: Conference Series. V. 1124. 2018. P. 022007.

Nikolskaya A.A., Korolev D.S., Mikhaylov A.N., Belov A.I., Sushkov A.A., Krivulin N.O., Muhamatchin K.R., Elizarova A.A., Marychev M.O., Konakov A.A., Tetelbaum D.I., Pavlov D.A. Light-emitting 9R-Si phase formed by Kr+ ion implantation into SiO2/Si substrate // Applied Physics Letters. № 18. V. 113. 2018. P. 182103.

Filatov D.O., Gorshkov O.N., Mikhaylov A.N., Korolev D.S., Koryazhkina M.N., Ryabova M.A., Antonov I.N., Shenina M.E., Pavlov D.A., Dunaevskiy M.S. Investigation of local charge accumulation in yttria stabilized zirconia films with Au nanoparticles by Scanning Kelvin Probe Microscopy // Journal of Physics: Conference Series. V. 1124. 2018. P. 081028.

Степанов А.В., Белов А.И., Окулич Е.В., Шуйский Р.А., Королев Д.С., Михайлов А.Н. Улучшение параметров мемристоров на основе оксида кремния методом ионного облучения // Вестник Чувашской государственной сельскохозяйственной академии. № 1(4). 2018. С. 87-91.

Korolev D.S., Belov A.I., Okulich E.V., Okulich V.I., Guseinov D.V., Sidorenko K.V., Shuisky R.A., Antonov I.N., Gryaznov E.G., Gorshkov O.N., Tetelybaum D.I., Mikhailov A.N. Manipulation of resistive state of silicon oxide memristor by means of current limitation during electroforming // Superlattices and Microstructures. V. 122. 2018. P. 371-376.

2017

Труды (тезисы) конференции

Королев Д.С., Никольская А.А., Белов А.И., Суродин С.И., Николичев Д.Е., Нежданов А.В., Маркелов А.С., Шушунов А.Н., Усов Ю.В., Павлов Д.А., Михайлов А.Н., Тетельбаум Д.И. Формирование нановключений нитрида галлия при имплантации ионов галлия и азота в кремний и кремний-совместимые диэлектрические пленки // Тезисы докладов, 11 Всероссийская конференция «Нитриды галлия, индия и алюминия – структуры и приборы. Москва, 1-3 февраля. 2017. С. 146-147.

Королев Д.С., Михайлов А.Н., Белов А.И., Никольская А.А., Терещенко А.Н., Штейнман Э.А., Тетельбаум Д.И. Влияние легирования бором на температурную зависимость дислокационной люминесценции в кремнии // Труды XXI Международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника». Т.2. Нижний Новгород, 13-16 марта. 2017. С. 625-626.

Korolev D.S., Mikhaylov A.N., Belov A.I., Okulich E.V., Antonov I.N., Tetelbaum D.I. Influence of current limitation on the adaptive behavior of the memristive nanostructures // Book of abstracts, International School and Conference on Optoelectronics, Photonics, Engineering and Nanostructures. Saint Petersburg, April 3-6. 2017. P. 554-555.

Никольская А.А., Тетельбаум Д.И., Королев Д.С. Синтез гексагональной модификации кремния с помощью ионной имплантации // Сборник докладов, конференции научной молодежи физического факультета ННГУ. Нижний Новгород, 11 мая. 2017. С. 80-83.

Королев Д.С., Михайлов А.Н., Белов А.И., Никольская А.А., Терещенко А.Н., Штейнман Э.А., Тетельбаум Д.И. Дислокационная люминесценция в имплантированном ионами Si+ кремнии с разными типами проводимости и концентрациями легирующей примеси // Тезисы докладов, XLVII Международная Тулиновская конференция по физике взаимодействия заряженных частиц с кристаллами (ФВЗЧК-2017). Москва, 30 мая-1 июня. 2017. С. 124.

Окулич Е.В., Королев Д.С., Белов А.И., Окулич В.И., Шуйский Р.А., Михайлов А.Н., Тетельбаум Д.И. Влияние ионной имплантации на параметры мемристивных структур на основе оксида кремния // Тезисы докладов, XLVII Международная Тулиновская конференция по физике взаимодействия заряженных частиц с кристаллами (ФВЗЧК-2017). Москва, 30 мая-1 июня. 2017. С. 145.

Королев Д.С., Михайлов А.Н., Белов А.И., Никольская А.А., Нагорных С.Н., Терещенко А.Н., Штейнман Э.А., Тетельбаум Д.И. Механизм влияния температуры на дислокационную фотолюминесценцию ионно-имплантированного кремния // Труды, XXIII Международная конференция «Взаимодействие ионов с поверхностью» (ВИП 2017). Москва, 21-25 августа. 2017. С. 93-96.

Tetelbaum D.I., Korolev D.S., Nikolskaya A.A., Belov A.I., Mikhaylov A.N., Krivulin N.O., Pavlov D.A. Formation of nanocrystalline 9R silicon hexagonal phase under multi-ion implantation into Si and SiO2/Si substrates // Abstracts, Nineteenth Annual Conference YUCOMAT 2017. Herceg Novi, Montenegro, September 4-8. 2017. P. 95.

Никольская А.А., Тетельбаум Д.И., Королев Д.С., Белов А.И., Михайлов А.Н., Кривулин Н.О., Павлов Д.А. Синтез гексагональной модификации кремния с помощью ионной имплантации // Тезисы докладов, III Всероссийский научный форум «Наука будущего – наука молодых». Нижний Новгород, 12-14 сентября. 2017. С. 374-375.

Никольская А.А., Тетельбаум Д.И., Королев Д.С., Белов А.И., Михайлов А.Н., Кривулин Н.О., Павлов Д.А., Соболев Н.А., Kumar M. Ионно-лучевой синтез кремния с гексагональной структурой // Материалы докладов, 16-ая Международная научная конференция -школа «Материалы нано-, микро-, оптоэлектроники и волоконной оптики: физические свойства и применение». Саранск, 19-22 сентября. 2017. С. 24.

Королев Д.С., Никольская А.А., Михайлов А.Н., Белов А.И., Кривулин Н.О., Павлов Д.А., Тетельбаум Д.И. Формирование гексагональной фазы кремния при ионном облучении // Материалы докладов, 12-я Международная конференция «Взаимодействие излучений с твердым телом». Минск, Беларусь, 19-22 сентября. 2017. С. 150-151.

Королев Д.С., Окулич Е.В., Шуйский Р.А., Окулич В.И., Белов А.И., Антонов И.Н., Васильев В.К., Горшков О.Н., Тетельбаум Д.И., Михайлов А.Н. Влияние ионно-лучевой обработки на параметры электроформовки и резистивного переключения мемристивных наноструктур // Материалы докладов, 12-я Международная конференция «Взаимодействие излучений с твердым телом». Минск, Беларусь, 19-22 сентября. 2017. С. 152-153.

Rajamani S., Korolev D.S., Belov A.I., Mikhaylov A.N., Tetelbaum D.I., Kumar M. Ultraviolet Photodetectors Based on Ion-Beam Synthesized GaN Nanocrystals // Book of abstracts,International Conference on Nano Structuring by Ion beam (ICNIB 2017). Indore, India, October 11-13. 2017. P. O-07.

Nikolskaya A.A., Korolev D.S., Mikhaylov A.N., Belov A.I., Tetelbaum D.I. Influence of ambient and temperature of annealing on dislocation-related luminescence in silicon // Book of abstracts, III Международная конференция «Актуальные проблемы физики поверхности и наноструктур». Ярославль, 9-11 октября. 2017. P. 46.

Публикации в научных журналах

Guseinov D.V., Tetelbaum D.I., Mikhaylov A.N., Belov A.I., Shenina M.E., Korolev D.S., Antonov I.N., Kasatkin A.P., Gorshkov O.N., Okulich E.V., Okulich V.I., Bobrov A.I., Malekhonova N.V., Pavlov D.A., Gryaznov E.G. Filamentary model of bipolar resistive switching in capacitor-like memristive nanostructures on the basis of yttria-stabilised zirconia // International Journal of Nanotechnology. № 7/8. V. 14. 2017. P. 604-617.

Королев Д.С., Никольская А.А., Кривулин Н.О., Белов А.И., Михайлов А.Н., Павлов Д.А., Тетельбаум Д.И., Соболев Н.А., Kumar M. Формирование гексагональной фазы кремния 9R при ионной имплантации // Письма в Журнал технической физики. № 16. Т. 43. 2017. С. 87-92.

Korolev D.S., Nikolskaya A.A., Krivulin N.O., Belov A.I., Mikhaylov A.N., Pavlov D.A., Tetelbaum D.I., Sobolev N.A., Kumar M. Formation of Hexagonal 9R Silicon Polytype by Ion Implantation // Technical Physics Letters. № 8. V. 43. 2017. P. 767-769.

Korolev D.S., Mikhaylov A.N., Belov A.I., Konakov A.A., Vasiliev V.K., Nikolichev D.E., Surodin S.I., Tetelbaum D.I. Composition and luminescence of Si and SiO2 layers co-implanted with Ga and N ions // International Journal of Nanotechnology. № 7-8. V. 14. 2017. P. 637-645.

Герасимова С.А., Михайлов А.Н., Белов А.И., Королев Д.С., Горшков О.Н., Казанцев В.Б. Имитация синаптической связи нейроноподобных генераторов с помощью мемристивного устройства // Журнал технической физики. № 87. Т. 8. 2017. С. 1248-1254.

Tikhov S.V., Mikhaylov A.N., Belov A.I., Korolev D.S., Antonov I.N., Karzanov V.V., Gorshkov O.N., Tetelbaum D.I., P. Karakolis, P. Dimitrakis Role of highly doped Si substrate in bipolar resistive switching of silicon nitride MIS-capacitors // Microelectronic Engineering. № 187. V. 188. 2017. P. 134-138.

2016

Труды (тезисы) конференции

Mikhaylov A.N., Gorshkov O.N., Kasatkin A.P., Tikhov S.V., Belov A.I., Shenina M.E., Koryazhkina M. N., Guseinov D.V., Okulich V.I., Korolev D.S., Antonov I.N., Antonov D.A., Bobrov A.I., Pavlov D.A., Tetelbaum D.I., Gryaznov E.G., Yatmanov A.P. Bipolar resistive switching in capacitor-like structures based on ionic and covalent oxide dielectrics // Abstracts 20th International Symposium On Non-Oxide and New Optical Glasses. Nizhny Novgorod, Russia, August 21-26, 2016. 2016. P. 103-104.

Королев Д.С., Белов А.И., Окулич Е.В., Никольская А.А., Суродин С.И., Николичев Д.Е., Нежданов А.В., Усов Ю.В., Павлов Д.А., Маркелов А.С., Трушин В.Н., Михайлов А.Н., Тетельбаум Д.И., Kumar M. Королев Д.С., Белов А.И., Окулич Е.В., Никольская А.А., Суродин С.И., Николичев Д.Е., Нежданов А.В., Усов Ю.В., Павлов Д.А., Маркелов А.С., Трушин В.Н., Михайлов А.Н., Тетельбаум Д.И., Kumar M. Формирование нанокластеров в кремнии и оксидных пленках на кремнии, имплантированных Ga и N // Физические и физико-химические основы ионной имплантации: Тез. докл. VI Всерос. конф. и шк. молодых ученых и специалистов, Нижний Новгород, 24–27 окт. 2016 г. Н. Новгород. : Изд-во Нижегорд. госун-та. 2016. 141 с. 2016. С. 62-63.

Суродин С.И., Николичев Д.Е., Крюков Р.Н., Белов А.И., Королев Д.С., Михайлов А.Н., Тетельбаум Д.И. Распределение химического состава по глубине в кремнии,имплантированном ионами галлия и азота // XX научный симпозиум «Нанофизика и наноэлектроника», г. Нижний Новгород, 14-18 марта. Т.2, Изд-во ННГУ. 2016. С. 741-742.

Суродин С.И., Николичев Д.Е., Крюков Р.Н., Королев Д.С. Профилирование по глубине химического состава структур, полученных методом имплантации ионов Ga и N в кремний и кремний-совместимые диэлектрические матрицы. // Физические и физико-химические основы ионной имплантации, г. Нижний Новгород, 24-27 октября. Изд-во ННГУ. 2016. С. 91.

Публикации в научных журналах

Тихов С.В., Горшков О.Н., Антонов И.Н., Касаткин А.П., Королев Д.С., Белов А.И., Тетельбаум Д.И. Изменение иммитанса при электроформовке и резистивном переключении в мемристивных структурах металл-диэлектрик –металл на основе SiOx // Жтф. Т. 5. 2016. С. 107-114.

Konakov A.A., Filatov D.O., Korolev D.S., Belov A.I., Mikhaylov A.N., Tetelbaum D.I., Kumar M. Electronic states in spherical GaN nanocrystals embedded in various dielectric matrices: The k⋅p-calculations // AIP Advances. V. 6. 2016. P. 015007.

Королев Д.С., Михайлов А.Н., Белов А.И., Васильев В.К., Гусейнов Д.В., Окулич Е.В., Шемухин А.А., Суродин С.И., Николичев Д.Е., Нежданов А.В., Пирогов А.В., Павлов Д.А., Тетельбаум Д.И. Послойный состав и структура кремния, подвергнутого совместной ионной имплантации галлия и азота для ионного синтеза GaN // Физика и техника полупроводников. № 2. Т. 50. 2016. С. 274-278.

Белов А.И., Михайлов А.Н., Королев Д.С., Сергеев В.А., Антонов И.Н., Горшков О.Н., Тетельбаум Д.И. Резистивное переключение в мемристивных структурах Au/SiOx/TiN/Ti с различными геометрическими параметрами и стехиометрией диэлектрической пленки // Письма в журнал технической физики. № 10. Т. 42. 2016. С. 17-24.

Королев Д.С., Мастеров Д. В., Охапкин А.И., Павлов С.А., Парафин А.Е., Юнин П.А., Королев С.А., Михайлов А.Н., Васильев В.К., Тетельбаум Д.И. Модификация пленок высокотемпературного сверхпроводника YBa2Cu3O7-d методом ионной имплантации // Поверхность. Рентгеновские, синхронные и нейтронные исследования. № 4. 2016. С. 80-83.

Belov A.I., Mikhaylov A.N., Korolev D.S., Guseinov D.V., Gryaznov E.G., Okulich E.V., Sergeev V.A., Antonov I.N., Kasatkin A.P., Gorshkov O.N., Tetelbaum D.I., Kozlovski V.V. Medium-energy ion-beam simulation of the effect of ionizing radiation and displacement damage on SiO2-based memristive nanostructures // Nucl. Instr. Meth. Phys. Res. B. V. 379. 2016. P. 13-17.

Тихов С.В., Горшков О.Н., Антонов И.Н., Касаткин А.П., Королев Д.С., Белов А.И., Михайлов А.Н., Тетельбаум Д.И. Изменение иммитанса при электроформовке и резистивном переключении в мемристивных структурах «металл-диэлектрик-металл» на основе SiOx // Журнал технической физики. № 5. Т. 86. 2016. С. 107-111.

Rajamani S. , Korolev D.S., Belov A.I., Surodin S.I., Nikolitchev D.E., Okulich E.V., Mikhaylov A.N., Tetelbaum D.I., Kumar M. Effect of annealing on carrier transport properties of GaN-incorporated silicon // RSC Advances. V. 6. 2016. P. 74691.

Surodin S.I., Nikolitchev D.E., Kryukov R.N., Belov A.I., Korolev D.S., Mikhaylov A.N., Tetelbaum D.I. Distribution of species and Ga–N bonds in silicon co-implanted with gallium and nitrogen ions // AIP Conference Proceedings. V. 1748. 2016. P. 050005.

Korolev D.S., Mikhaylov A.N., Belov A.I., Sergeev V.A., Antonov I.N., Gorshkov O.N., Tetelbaum D.I. Adaptive behaviour of silicon oxide memristive nanostructures // Journal of Physics: Conference Series. V. 741. 2016. P. 012161.

Mikhaylov A.N., Gryaznov D.V., Belov A.I., Korolev D.S., Sharapov A.N., Guseinov D.V., Tetelbaum D.I., Malekhonova N.V., Bobrov A.I., Pavlov D.A., Tikhov S.V., Gerasimova S.A., Kazantsev V.B., Agudov N.V., Dubkov A.A., C. M. M. Rosário, N. A. Sobolev, B. Spagnolo Field- and irradiation-induced phenomena in memristive nanomaterials // Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics. № 10-12. V. 13. 2016. P. 870-881.

Korolev D.S., Mikhailov A.N., Belov A.I., Vasilyev V.K., Guseinov D.V., Okulich E.V., Shemmukhin A.A., Surodin S.I., Nikolichev D.E., Nezhdanov A.V., Pirogov A.V., Pavlov D.A., Tetelybaum D.I. Layer-by-Layer Composition and Structure of Silicon Subjected to Combined Gallium and Nitrogen Ion Implantation for the Ion Synthesis of Gallium Nitride // Semiconductors. № 2. V. 50. 2016. P. 271-275.

2015

Труды (тезисы) конференции

Королев С.А., Мастеров Д.В., Охапкин А.И., Павлов С.А., Парафин А.Е., Юнин П.А., Королев Д.С., Михайлов А.Н., Васильев В.К., Тетельбаум Д.И. Модификация пленок высокотемпературного сверхпроводника YBa2Cu3O7-d методом ионной имплантации // XIX Международный Симпозиум «Нанофизика и наноэлектроника». Труды. Нижний Новгород, 10–14 марта, 2015. 2 стр. 2015. С. 79-80.

Королев Д.С., Михайлов А.Н., Белов А.И., Смирнов А.Е., Тетельбаум Д.И. Исследование влияния отжига в окислительной атмосфере на дислокационную люминесценцию в кремнии, имплантированном Si+ // XIX Международный Симпозиум «Нанофизика и наноэлектроника». Труды. Нижний Новгород, 10–14 марта, 2015. 2 стр. 2015. С. 539-540.

Тетельбаум Д.И., Михайлов А.Н., Белов А.И., Королев Д.С., Смирнов А.Е., Васильев В.К., Гусейнов Д.В., Николичев Д.Е., Крюков Р.Н., Трушин В.Н., Маркелов А.С., Нежданов А.В. Ионно-лучевой синтез GaN в кремнии // XIX Международный Симпозиум «Нанофизика и наноэлектроника». Труды. Нижний Новгород, 10–14 марта, 2015. 2 стр. 2015. С. 663-664.

Суродин С.И., Тетельбаум Д.И., Михайлов А.Н., Николичев Д.Е., Крюков Р.Н., Королев Д.С., Белов А.И. Исследование химического состава кремния, имплантированного ионами галлия и азота // XX Нижегородская сессия молодых ученых. Естественные, математические науки. Княгинино : НГИЭУ. – 2015. – 218 с.. 2015. С. 60-63.

Korolev D.S., Mikhaylov A.N., Belov A.I., Sergeev V.A., Efimovykh D.V., Antonov I.N., Okulich E.V., Gorshkov O.N., Kasatkin A.P., Tetelbaum D.I. Influence of ion irradiation on the resistive switching parameters of SiOx-based thin-film structures // 2nd International school and conference “Saint Petersburg OPEN 2015”. Book of abstracts. St. Petersburg, Russia, April 6-8, 2015. 2015. P. 271-272.

Korolev D.S., Mikhaylov A.N., Belov A.I., Sergeev V.A., Vasilyev V.K., Smirnov A.E., Nikolichev D.E., Kryukov R.N., Guseinov D.V., Markelov A.S., Trushin V.N., Tetelbaum D.I. Ion synthesis of GaN nanocrystals in silicon // 2nd International school and conference “Saint Petersburg OPEN 2015”. Book of abstracts, St. Petersburg, Russia, April 6-8, 2015. 2015. P. 237-238.

Rosario C.M.M., Sobolev N.A., Kobeleva S.P., Gorshkov O.N., Kasatkin A.P., Antonov I.N., Korolev D.S., Mikhailov A.N. Resistive switching and impedance spectroscopy in zirconium oxide-based mim structures // Proceedings of the International conference “Nanomeeting-2015”. Belarus, Minsk, 26-29 May, 2015. 2015. P. 544-547.

Korolev D.S., Mikhaylov A.N., Belov A.I., Antonov I.N., Gorshkov O.N., Kasatkin A.P., Tetelbaum D.I. Effect of ion irradiation on resistive switching in silicon-oxide-based MIM structures // Proceedings of the International conference “Nanomeeting-2015”. Belarus, Minsk, 26-29 May, 2015. 2015. P. 88-90.

Королев Д.С., Михайлов А.Н., Белов А.И., Сергеев В.А., Антонов И.Н., Горшков О.Н., Касаткин А.П., Тетельбаум Д.И. Влияние ионного облучения на параметры резистивного переключения в МДМ-структурах на основе оксида кремния // XXII Международная конференция «Взаимодействие ионов с поверхностью (ВИП 2015)». Труды. Москва, 20-24 августа, 2015. – Т.3. 2015. С. 101-104.

Tetelbaum D.I., Korolev D.S., Mikhaylov A.N., Belov A.I., Vasilyev V.K., Guseinov D.V., Okulich E.V., Surodin S.I., Nikolichev D.E., Nezhdanov A.V., Pirogov A.V., Pavlov D.A., Konakov A.A., Shemukhin A., Ranwa S., Kumar M. Si and Si-compatible dielectric films subjected to Ga+N co-implantation: towards the Si-based technology of nc-GaN fabrication // 18th International Conference on Radiation Effects in Insulators (REI-18), Dates: 26th to 31st October, 2015. Book of Abstracts. Jaipur, Rajasthan, India. 2015. P. 238.

Публикации в научных журналах

Mikhaylov A.N. , Belov A.I., Guseinov D.V., Korolev D.S., Antonov I.N., Efimovykh D.V., Tikhov S.V., Kasatkin A.P., Gorshkov O.N., Tetelbaum D.I., Gryaznov E.G., Yatmanov A.P. Bipolar resistive switching and charge transport in silicon oxide memristor // Materials Science and Engineering B. V. 195. 2015. P. 48-54.

Tetelbaum D.I., Mikhaylov A.N., Belov A.I., Korolev D.S., Shushunov A.N., Bobrov A.I., Pavlov D.A., Shek E.I., Sobolev N.A. Localization of dislocation-related luminescence centers in self-ion implanted silicon and effect of additional boron ion doping // Physica Status Solidi C. № 1-2. V. 12. 2015. P. 84-88.

Mikhaylov A.N., Belov A.I., Guseinov D.V., Korolev D.S., Antonov I.N., Efimovykh D.V., Tikhov S.V., Kasatkin A.P., Gorshkov O.N., Tetelbaum D.I., Bobrov A.I., Malekhonova N.V., Pavlov D.A., Gryaznov E.G., Yatmanov A.P. Bipolar resistive switching and charge transport in silicon oxide memristor // Materials Science and Engineering B. № 4. V. 194. 2015. P. 48-54.

Белов А. И., Михайлов А.Н., Королев Д.С., Сергеев В.А., Окулич Е.В., Антонов И.Н., Касаткин А.П., Грязнов Е.Г., Ятманов А.П., Горшков О.Н., Тетельбаум Д.И. Влияние облучения ионами H+ и Ne+ на резистивное переключение в мемристивных структурах «металл-диэлектрик-металл» на основе SiOx // Письма в журнал технической физики. № 19. Т. 41. 2015. С. 81-89.

Nagornykh S.N., Pavlenkov V.I., Tetelbaum D.I., Mikhaylov A.N., Belov A.I., Korolev D.S., Shushunov A.N., Bobrov A.I., Pavlov D.A., Shek E.I. Distribution of D1 Dislocation Luminescence Centers in Si+-Implanted Silicon and the Photoluminescence Model // Modern Electronic Materials. № 2. V. 1. 2015. P. 33-37.

Sergeev V.A., Korolev D.S., Mikhaylov A.N., Belov A.I., Vasilyev V.K., Smirnov A.E., Nikolichev D.E., Surodin S.I., Guseinov D.V., Nezhdanov A.V., Markelov A.S., Trushin V.N., Pirogov A.V., Pavlov D.A., Tetelbaum D.I. Ion-beam synthesis of GaN in silicon // Journal of Physics: Conference Series. № 643. V. 1. 2015. P. 012082.

Korolev D. S., Mikhaylov A.N., Belov A.I., Sergeev V.A., Antonov I.N., Kasatkin A.P., Gorshkov O.N., Tetelbaum D.I. Influence of ion irradiation on the resistive switching parameters of SiOx-based thin-film structures // Journal of Physics: Conference Series. V. 643. 2015. P. 012094.

Нагорных С.Н., Павленков В.И., Тетельбаум Д.И., Михайлов А.Н., Белов А.И., Королев Д.С., Шушунов А.Н., Бобров А.И., Павлов Д.А. Распределение центров дислокационной люминесценции D1 в кремнии, подвергнутом имплантации ионов Si+, и модель фотолюминесценции // Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники. 2015. [принято к печати]

2014

Труды (тезисы) конференции

Тихов С.В., Михайлов А.Н., Белов А.И., Гусейнов Д.В., Королев Д.С., Антонов И.Н., Касаткин А.П., Горшков О.Н., Тетельбаум Д.И. Электрофизические свойства структур металл-диэлектрик-полупроводник на основе оксида кремния, проявляющий эффект резистивного переключения // Труды ХY111 Международного симпозиума по Нанофизике и Наноэлектронике 10 -14 марта 2014. Нижний Новгород, том 2, 557-558. 2014. С. 557-558.

Королев Д.С., Михайлов А.Н., Белов А.И., Смирнов А.Е., Шушунов А.Н., Шек Е.И., Тетельбаум Д.И. Влияние дозы ионного легирования бором и условий отжига на дислокационную фотолюминесценцию в кремнии // Труды XVIII Международного Симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника». Н. Новгород, 10–14 марта, 2014. – С.638-639. 2014. С. 638-639.

Tetelbaum D.I., Mikhaylov A.N., Belov A.I., Korolev D.S., Shushunov A.N., Bobrov A.I., Pavlov D.A. Effect of boron ion doping on dislocation-related luminescence in silicon // Abstracts of E-MRS 2014 Spring Meeting. Lille, France, 26-30 May, 2014.. 2014. P. 1-35.

Нагорных С.Н., Павленков В.И., Михайлов А.Н., Белов А.И., Королев Д.С., Бобров А.И., Павлов Д.А., Тетельбаум Д.И., Шек Е.И. Распределение структурных нарушений и центров дислокационной фотолюминесценции в кремнии, подвергнутом имплантации ионов Si+ // Кремний – 2014 /Тезисы докладов X Конференции по актуальным проблемам физики, материаловедения, технологии и диагностики кремния, нанометровых структур и приборов на его основе (Иркутск, 7–12 июля 2014 г. ). Иркутск: Изд-во Института географии им. В.Б. Сочавы СО РАН, 229 с. 2014. С. 156.

Гусейнов Д.В., Королев Д.С., Денисов С.А., Филатов Д.О., Антонов И.Н., Тетельбаум Д.И., Михайлов А.Н., Трушин В.Н., Степихова М.В., Шенгуров В.Г. Влияние режимов имплантации ионов P+ в слои Ge на Si(100) и последующего отжига на их фотолюминесценцию // Тезисы докладов V-ой Всероссийской конференции и школы молодых ученых и специалистов «Физические и физико–химические основы ионной имплантации», Нижний Новгород, Россия, 27- 31 октября 2014. ННГУ им. Н.И.Лобачевского, 2014, 142 с. 2014. С. 68-69.

Королев Д.С., Михайлов А.Н., Белов А.И., Антонов И.Н., Ефимовых Д.В., Тихов С.В., Горшков О.Н., Тетельбаум Д.И. Резистивное переключение в структурах «металл-диэлектрик-металл» на основе оксида кремния // Материалы ІV Международной научной конференции «Наноструктурные материалы-2014: Беларусь-Россия-Украина». Минск, 7-10 октября,. 2014. С. 355.

Королев Д.С., Михайлов А.Н., Белов А.И., Шушунов А. Н., Смирнов А.Е., Тетельбаум Д.И., Шек Е.И., Соболев Н.А. Эволюция дислокационной люминесценции в кремнии при дополнительном ионном легировании и отжиге в различных атмосферах // Тезисы докладов V-ой Всероссийской конференции и школы молодых ученых и специалистов «Физические и физико–химические основы ионной имплантации». Нижний Новгород, Россия, 27- 31 октября 2014. : ННГУ им. Н.И.Лобачевского. 2014. С. 61.

Королев Д.С., Смирнов А.Е., Михайлов А.Н., Белов А.И., Шушунов А.Н., Тетельбаум Д.И. Дислокационная фотолюминесценция в кремнии: влияние дозы ионного легирования бором и атмосферы отжига // Материалы нано-, микро-, оптоэлектроники и волоконной оптики: физические свойства и применение: сборник трудов 13-й Международной научной конференции-школы. Саранск, 7–10 октября 2014 г.. 2014. С. 43.

Михайлов А.Н., Белов А.И., Королев Д.С., Ефимовых Д.В., Антонов И.Н., Тихов С.В., Касаткин А.П., Горшков О.Н., Тетельбаум Д.И., Грязнов Е.Г. Влияние ионного облучения на параметры резистивного переключения в структурах «металл – оксид кремния – металл» // V Всероссийская конференция и школа молодых ученых и специалистов «Физические и физико-химические основы ионной имплантации». Тезисы докладов. Нижний Новгород, 27-31 октября, 2014.. 2014. С. 36.

Тетельбаум Д.И., Гусейнов Д.В., Васильев В.К., Михайлов А.Н., Белов А.И., Королев Д.С., Оболенский С.В., Качемцев А.Н. Ионно-лучевая имитация радиационных повреждений в гетероструктурах при облучении быстрыми нейтронами // V Всероссийская конференция и школа молодых ученых и специалистов «Физические и физико-химические основы ионной имплантации». Тезисы докладов. Нижний Новгород, 27-31 октября, 2014.. 2014. С. 81.

Нагорных С.Н., Павленков В.И., Белов А.И., Королев Д.С., Михайлов А.Н., Тетельбаум Д.И., Бобров А.И., Павлов Д.А. Теоретическое исследование пространственного распределения центров дислокационной люминесценции с учетом кинетики их формирования и влияния упругих напряжений в атмосферах дислокаций // V Всероссийская конференция и школа молодых ученых и специалистов «Физические и физико-химические основы ионной имплантации». Тезисы докладов. Нижний Новгород, 27-31 октября, 2014. 2014. С. 60.

Королев Д. С., Михайлов А.Н., Филатов Д.О., Белов А.И., Николичев Д.Е., Крюков Р.Н., Маркелов А.С., Гусейнов Д.В., Васильев В.К., Тетельбаум Д.И. Структура и состав ионно-синтезированных нанокристаллов GaN в кремнии // XXXIII научные чтения имени академика Николая Васильевича Белова, г. Нижний Новгород. Изд-во ННГу. 2014. С. 108.

Публикации в научных журналах

Obolenskii S.V., Tetelybaum D.I., Guseinov D.V., Vasilyev V.K., Mikhailov A.N., Belov A.I., Korolev D.S., Kachemtsev A.N. Ion-beam simulation of radiation damage produced by fast neutrons in heterophase structures // Nuclear Instruments and methods. V. B236. 2014. P. 41-44.

Михайлов А.Н., Белов А.И., Королев Д.С., Тимофеева А.О., Васильев В.К., Шушунов А.Н., Бобров А.И., Павлов Д.А., Тетельбаум Д.И., Шек Е.И. Влияние ионного легирования на фотолюминесценцию в кремнии, связанную с дислокациями, сформированными путем имплантации ионов Si+ // Физика и техника полупроводников. № 2. Т. 48. 2014. С. 212-216.

Mikhailov A.N., Belov A. I., Korolev D.S., Timofeeva A.O., Vasilyev V.K., Shushunov A.N., Bobrov A.I., Pavlov D.A., Tetelybaum D.I., Shek E.I. Effect of Ion Doping on the Dislocation Related Photoluminescence in Si+ Implanted Silicon // Semiconductors. № 2. V. 48. 2014. P. 199-203.

Демидов Е.С., Карзанова М.В., Михайлов А.Н., Тетельбаум Д.И., Белов А.И., Королев Д.С., Павлов Д.А., Бобров А.И., Горшков О.Н., Демидова Н.Е., Чигиринский Ю.И. Влияние ионного облучения на структуру и люминесцентные свойства пористого кремния, пропитанного вольфрам-теллуритным стеклом с примесями Er и Yb // Физика твердого тела. № 3. Т. 56. 2014. С. 607-610.

Demidov E.S., Karzanova M.V., Mikhailov A.N., Tetelybaum D.I., Belov A.I., Korolev D.S., Pavlov D.A., Bobrov A.I., Gorshkov O.N., Demidova N.E., Chigirinskii Yu.I. Effect of Ion Irradiation on the Structure and Luminescence Characteristics of Porous Silicon Im-pregnated with Tungsten–Telluride Glass Doped by Er and Yb Impurities // Physics of the Solid State. № 3. V. 56. 2014. P. 631-634.

Королев Д.С., Михайлов А.Н., Белов А.И., Костюк А.Б., Карзанова М.В., Ершов А.В., Демидов Е.С., Тетельбаум Д.И. Закономерности влияния ионного облучения на фотолюминесценцию нанокристаллов кремния в матрице SiO2 // Вестник Нижегородского университета им. Н.И. Лобачевского. № 1 (2). 2014. С. 71-75.

Tetelbaum D.I., Mikhaylov A.N., Belov A.I., Korolev D.S., Shushunov A.N., Bobrov A.I., Pavlov D.A., Shek E.I., Sobolev N.A. Localization of dislocation-related luminescence centers in self-ion im-planted silicon and effect of additional boron ion doping // Phys. Stat. Sol. (c). № 11-12. V. 11. 2014. P. 1-5.

Королев Д.С., Михайлов А.Н., Белов А.И., Костюк А.Б., Карзанова М.В., Ершов А.В., Демидов Е.С., Тетельбаум Д.И. Закономерности влияния ионного облучения на фотолюминесценцию нанокристаллов кремния в матрице SiO2 // Вестник Нижегородского университета им. Н.И. Лобачевского. № 1 (2). 2014. С. 74–79.

2013

Труды (тезисы) конференции

Михайлов А. Н., Белов А.И., Королев Д.С., Тимофеева А.О., Васильев В.К., Тетельбаум Д.И., Сахаров В.И., Серенков И.Т., Шек Е.И., Соболев Н.А. Влияние ионной имплантации примесей на дислокационную фотолюминесценцию в кремнии // Труды XVII Международного Симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника». Н. Новгород, 11–15 марта. 2013. С. 608-609.

Королев Д.С., Костюк А.Б., Белов А.И., Михайлов А.Н., Дудин Ю.А., Тетельбаум Д.И. Влияние ионного облучения на эффект сенсибилизации излучения эрбиевых центров нанокластерами кремния // Труды XVII Международного Симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника». Н. Новгород, 11–15 марта. 2013. С. 606-607.

Демидов Е.С., Карзанова М.В., Михайлов А.Н., Тетельбаум Д.И., Белов А.И., Королев Д.С., Павлов Д.А., Бобров А.И. Влияние облучения ионами Ar+, Ne+ и P+ пористого кремния, пропитанного вольфрам-теллуритным стеклом с примесями Er и Yb, на его люминесцентные свойства // Труды XVII Международного Симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника». 11–15 марта 2013, Нижний Новгород: Изд-во ННГУ,- Т. 2. 2013. С. 427-428.

Mikhaylov A.N., Guseinov D.V., Belov A.I., Kostyuk A.B., Karzanova M.V., Korolev D.S., Timofeeva A.O., Bobrov A.I., Chugrov I.A., Ershov A.V., Kasatkin A.P., Gorshkov O.N., Pavlov D.A., Tetelbaum D.I., Demidov E.S. Ion-beam engineering of silicon-based nanomaterials // Труды XXI Международной конференции «Взаимодействие ионов с поверхностью (ВИП 2013)». Ярославль, 22-26 августа, 2013, Т.2. 2013. P. 31-36.

Костюк А.Б., Королев Д.С., Белов А.И., Гусейнов Д.В., Бобров А.И., Павлов Д.А., Михайлов А.Н., Тетельбаум Д.И., Степанов А.Л. Влияние ионного облучения на структуру и оптические свойства нанокластеров Au в диэлектрических матрице // Труды XXI Международной конференции «Взаимодействие ионов с поверхностью (ВИП-2013)». Ярославль, 22-26 августа. 2013. С. 300-303.

Белов А.И., Королев Д.С., Костюк А.Б., Чугров И.А., Грачев Д.А., Михайлов А.Н., Ершов А.В., Демидов Е.С., Тетельбаум Д.И. Электронный транспорт и электролюминесценция в диэлектрических слоях с нанокластерами кремния, сформированных с применением ионной имплантации // Труды XXI Международной конференции «Взаимодействие ионов с поверхностью (ВИП-2013)». Ярославль, 22-26 августа, 2013. – Т. 2. 2013. С. 286-289.

Королев Д.С., Михайлов А.Н., Белов А.И., Костюк А.Б., Карзанова М.В., Бобров А.И., Ершов А.В., Павлов Д.А., Демидов Е.С., Тетельбаум Д.И. Закономерности ионно-лучевой обработки наноматериалов на основе кремния // Форум молодых учёных: Тезисы докладов. Изд-во ННГУ им. Н.И. Лобачевского, T. 1.. 2013. С. 166-168.

Костюк А.Б., Королев Д.С., Белов А.И., Гусейнов Д.В., Бобров А.И., Павлов Д.А., Михайлов А.Н., Тетельбаум Д.И. Влияние ионного облучения и последующего отжига на оптические и структурные свойства массива нанокристаллов Au в SiO2 // Форум молодых учёных: Тезисы докладов. Изд-во ННГУ им. Н. И. Лобачевского, T. 1.. 2013. С. 170-172.

Королев Д.С., Белов А.И., Михайлов А.Н., Бобров А.И., Павлов Д.А., Тетельбаум Д.И. Влияние ионного легирования на дислокационную фотолюминесценцию в кремнии // «Материалы нано-, микро-, оптоэлектроники и волоконной оптики: физические свойства и применение»: сборник трудов 12-й Международной конференции-школы. Саранск, 1-4 октября 2013 г.. 2013. С. 28.

Tetelbaum D.I., Mikhaylov A.N., Belov A.I., Korolev D.S., Ershov A.V., Bobrov A.I., Pavlov D.A. Ion Beam Modification of Silicon-Based Nanomaterials Demonstrating Dislocation-Related Luminescence or Resistive Switching Phenomenon // Abstracts of 11th European Conference on Accelerators in Applied Research and Technology (ECAART-11). Namur, BELGIUM, September 8-13, 2013. 2013. P. 128.

Публикации в научных журналах

Королев Д.С., Костюк А.Б., Белов А.И., Михайлов А.Н., Дудин Ю.А., Бобров А.И., Малехонова Н.В., Павлов Д.А., Тетельбаум Д.И. Влияние режимов ионного синтеза и ионного легирования на эффект сенсибилизации излучения эрбиевых центров нанокластерами кремния в пленках диоксида кремния // Физика твердого тела. № 11. Т. 55. 2013. С. 2243-2249.

Демидов Е.С., Карзанова М.В., Михайлов А.Н., Тетельбаум Д.И., Белов А.И., Королев Д.С., Павлов Д.А., Бобров А.И., Горшков О.Н., Демидова Н.Е., Чигиринский Ю.И. Влияние ионного облучения на структуру и люминесцентные свойства пористого кремния, пропитанного вольфрам-теллуритным стеклом с примесями Er и Yb // Физика твердого тела. № 3. Т. 56. 2013. С. 607-610.

Korolev D.S., Kostyuk A.B., Belov A.I., Mikhaylov A.N., Dudin Yu.A., Bobrov A.I., Malekhonova N.V., Pavlov D.A., Tetelbaum D.I. Influence of the Ion Synthesis and Ion Doping Regimes on the Effect of Sensitization of Erbium Emission by Silicon Nanoclusters in Silicon Dioxide Films // Physics of the Solid State. № 11. V. 55. 2013. P. 2361-2367.

2012

Труды (тезисы) конференции

Тетельбаум Д.И., Костюк А.Б., Федонин М.П., Гусейнов Д.В., Михайлов А.Н., Белов А.И., Королев Д.С., Павлов Д.А., Бобров А.И., Трушин В.Н., Маркелов А.С. Структурные аспекты ионно-лучевой модификации ансамбля наночастиц золота в оксидных матрицах // Труды XVI Международного Симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника». 12–16 марта 2012, Нижний Новгород: Изд-во ННГУ, Т. 2. 2012. С. 402-403.

Tetelbaum D., Mikhaylov A., Timofeeva A., Belov A., Korolev D., Zhavoronkov I., Barsukov A., Sakharov V., Serenkov I., Shek E., Sobolev N. Ion modification of silicon-based nanostructures with light-emitting erbium and dislocation-related centers // Book of abstracts of E-MRS 2012 Fall Meeting. Poland, Warsaw. September 17-21, 2012. 2012. P. 27.

Королев Д.С., Костюк А.Б., Белов А.И., Чугров И.А., Ершов А.В., Михайлов А.Н., Тетельбаум Д.И. Особенности радиационного повреждения нанокристаллов кремния в оксидных матрицах при имплантации ионов металлов // Тезисы докладов 11-й Всероссийской (с международным участием) конференции c элементами научной школы для молодежи «Материалы нано-, микро-, оптоэлектроники и волоконной оптики: физические свойства и применение» (ВНКШ-2012). Саранск, 2-5 октября, 2012. 2012. С. 106.

Тетельбаум Д.И., Михайлов А.Н., Гусейнов Д.В., Белов А.И., Костюк А.Б., Королев Д.С., Федонин М.П., Павлов Д.А., Бобров А.И., Трушин В.Н., Маркелов А.С. Особенности ионно-лучевого воздействия на структуру слоев оксидов кремния и алюминия, содержащих нанокластеры Au // Тезисы докладов IV Всероссийской конференции «Физические и физико–химические основы ионной имплантации» (с участием иностранных учёных) и Международной молодежной конференции «Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах». Новосибирск, 23-26 октября, 2012. 2012. С. 39.

Михайлов А.Н., Белов А.И., Тимофеева А.О., Васильев В.К., Жаворонков И.Ю., Барсуков А.В., Королев Д.С., Тетельбаум Д.И., Сахаров В.И., Серенков И.Т., Шек Е.И., Соболев Н.А. Ионно-лучевая модификация наноструктур на основе кремния, излучающих свет на длине волны 1,54 мкм // Тезисы докладов IV Всероссийской конференции «Физические и физико–химические основы ионной имплантации» (с участием иностранных учёных) и Международной молодежной конференции «Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах». Новосибирск, 23-26 октября, 2012. 2012. С. 94.

Михайлов А.Н., Королев Д.С., Костюк А.Б., Белов А.И., Тетельбаум Д.И., Грачев Д.А., Чугров И.А., Ершов А.В. Влияние облучения ионами Au, Er и Zr на оптические свойства оксидных структур с нанокристаллами Si // Тезисы докладов IV Всероссийской конференции «Физические и физико–химические основы ионной имплантации» (с участием иностранных учёных) и Международной молодежной конференции «Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах». Новосибирск, 23-26 октября, 2012. 2012. С. 42.

Королев Д.С., Михайлов А.Н. Оптические свойства массивов нанокристаллов кремния, подвергнутых ионно-лучевой обработке // Тезисы докладов Четырнадцатой всероссийской молодёжной конференции по физике полупроводников и наноструктур, полупроводниковой опто- и наноэлектронике. Санкт-Петербург, 26-30 ноября, 2012. 2012. С. 68.

Публикации в научных журналах

Михайлов А.Н., Белов А.И., Костюк А.Б., Жаворонков И.Ю., Королев Д.С., Нежданов А.В., Ершов А.В., Гусейнов Д.В., Грачева Т.А., Малыгин Н.Д., Демидов Е.С., Тетельбаум Д.И. Особенности формирования и свойства светоизлучающих структур на основе ионно-синтезированных нанокристаллов кремния в матрицах SiO2 и Al2O3 // Физика твердого тела. № 2. Т. 54. 2012. С. 347-359.

Михайлов А.Н., Костюк А.Б., Королев Д.С., Жаворонков И.Ю., Чугров И.А., Белов А.И., Бурдов В.А., Ершов А.В., Тетельбаум Д.И. Формирование методом ионной имплантации наночастиц золота в однослойных и многослойных массивах светоизлучающих нанокристаллов кремния // Известия РАН. Серия физическая. № 2. Т. 76. 2012. С. 244-248.

Тетельбаум Д.И., Михайлов А.Н., Гусейнов Д.В., Белов А.И., Костюк А.Б., Королев Д.С., Федонин М.П., Павлов Д.А., Бобров А.И., Николичев Д.Е., Боряков А.В. Влияние ионного облучения на морфологию, структуру и оптические свойства наночастиц золота, синтезированных в диэлектрических матрицах SiO2 и Al2O3 // Поверхность. Рентгеновские, синхронные и нейтронные исследования. № 8. 2012. С. 58-64.

Mikhaylov A.N., Belov A.I., Kostyuk A.B., Zhavoronkov I.Yu., Korolev D.S., Nezhdanov A.V., Ershov A.V., Guseinov D.V., Gracheva T.A., Malygin N.D., Demidov E.S., Tetelbaum D.I. Peculiarities of the Formation and Properties of Light-Emitting Structures Based on Ion-Synthesized Silicon Nanocrystals in SiO2 and Al2O3 Matrices // Physics of the Solid State. № 2. V. 54. 2012. P. 368-382.

Mikhaylov A.N., Kostyuk A.B., Korolev D.S., Zhavoronkov I.Yu., Chugrov I.A., Belov A.I., Burdov V.A., Ershov A.V., Tetelbaum D.I. Formation of Gold Nanoparticles in Single-Layer and Multi-Layer Ensembles of Light-Emitting Silicon Nanocrystals Using Ion Implantation // Bulletin of the Russian Academy of Sciences: Physics. № 2. V. 76. 2012. P. 214-217.

Tetelbaum D.I., Mikhaylov A.N., Guseinov D.V., Belov A.I., Kostyuk A.B., Korolev D.S., Fedonin M.P., Pavlov D.A., Bobrov A.I., Nikolitchev D.E., Boryakov A.V. Influence of Ion Irradiation on the Morphology, Structure, and Optical Properties of Gold Nanoparticles Synthesized in SiO2 and Al2O3 Dielectric Matrices // Journal of Surface Investigation. X-ray, Synchrotron and Neutron Techniques. № 4. V. 6. 2012. P. 681-687.

2011

Труды (тезисы) конференции

Королев Д.С., Михайлов А.Н. Ионно-лучевой синтез наночастиц золота в однослойных и многослойных структурах с нанокристаллами кремния // Тезисы Тринадцатой всероссийской молодёжной конференции по физике полупроводников и наноструктур, полупроводниковой опто- и наноэлектронике. Санкт-Петербург. 2011. С. 85.

Михайлов А.Н., Костюк А.Б., Королев Д.С., Жаворонков И.Ю., Чугров И.А., Белов А.И., Шенина М.Е., Касаткин А.П., Бурдов В.А., Ершов А.В., Дудин Ю.А., Тетельбаум Д.И. Формирование методом ионной имплантации наночастиц золота в однослойных и многослойных массивах светоизлучающих нанокристаллов кремния // Труды XV Международного Симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника», Н. Новгород, 14–18 марта, 2011. Т.2. 2011. С. 438-439.

Михайлов А.Н., Костюк А.Б., Королев Д.С., Жаворонков И.Ю., Чугров И.А., Белов А.И., Ершов А.В., Тетельбаум Д.И. Ионное внедрение золота в однослойные и многослойные оксидные структуры с нанокристаллами кремния // Труды XXI Международной конференции «Радиационная физика твердого тела», Севастополь, 22–27 августа, 2011. М.: ФГБНУ «НИИ ПМТ», Т.1. 2011. С. 230-237.

Тетельбаум Д.И., Михайлов А.Н., Костюк А.Б., Белов А.И., Гусейнов Д.В., Лаптев Д.А., Королев Д.С., Федонин М.П., Ершов А.В., Чугров И.А. Особенности радиационного повреждения нанокристаллических материалов при ионном облучении // Труды XX Международной конференции «Взаимодействие ионов с поверхностью ВИП-2011», Звенигород, 25–29 августа, 2011. Т.2. 2011. С. 41-44.

Королев Д.С., Михайлов А.Н., Костюк А.Б., Жаворонков И.Ю., Чугров И.А., Ершов А.В., Белов А.И., Тетельбаум Д.И. Влияние ионной имплантации золота на люминесцентные свойства однослойных и многослойных массивов нанокристаллов кремния // Сборник тезисов, материалы Семнадцатой Всероссийской научной конференции студентов физиков и молодых ученых (ВНКСФ-17), Екатеринбург, 25 марта – 1 апреля, 2011. 3 стр. 2011. С. 189-191.

Tetelbaum D.I., Mikhaylov A.N., Guseinov D.V., Belov A.I., Kostyuk A.B., Fedonin M.P., Korolev D.S., Shenina M.E., Kasatkin A.P., Gorshkov O.N. Modification of Au nanoclusters embedded into oxide matrices by ion irradiation: computer simulation and experiment // Abstracts of 20th International Conference on Ion Beam Analysis (IBA 2011), Itapema, Brazil, 10-15 April, 2011. 1 p. 2011. P. 34.

Tetelbaum D., Mikhaylov A., Belov A., Kostyuk A., Zhavoronkov I., Korolev D., Ershov A. Luminescent Properties of Si Nanocrystals Embedded Into Alumina Films and Sapphire: the Role of Silicon Oxide Shells // Abstracts of International Conference on Materials for Advanced Technologies (ICMAT 2011), Suntec, Singapore, 26 June – 1 July, 2011. 1 p. 2011. P. 2374.

Тетельбаум Д.И., Костюк А.Б., Федонин М.П., Михайлов А.Н., Белов А.И., Королев Д.С., Трушин В.Н., Маркелов А.С. Эволюция структуры тонких слоев SiO2 с нанокристаллами золота при облучении ионами Ne+, F+ и Si+ // ХХХ Научные чтения имени академика Н. В. Белова. Тезисы докладов конференции, Нижний Новгород, 20-21 декабря, 2011. 2 стр. 2011. С. 129-130.

Королев Д.С., Костюк А.Б., Белов А.И., Чугров И.А., Ершов А.В., Михайлов А.Н., Тетельбаум Д.И. Оптические и светоизлучающие свойства смешанных массивов нанокластеров золота и кремния, полученных с применением ионной имплантации // Сборник трудов 10-й Всероссийской конференции с элементами научной школы для молодежи «Материалы нано-, микро-, оптоэлектроники и волоконной оптики: физические свойства и применение», Саранск, 4 – 7 октября, 2011. 1 стр. 2011. С. 108.

Tetelbaum D.I., Mikhaylov A.N., Kostyuk A.B., Korolev D.S., Zhavoronkov I.Yu., Chugrov I.A., Belov A.I., Ershov A.V., Gorshkov O.N., Nagornykh S.N. Ion-beam formation of gold nanoclusters in single- and multi-layer ensembles of light-emitting silicon quantum dots // Abstracts of E-MRS Spring 2011 & Bilateral Energy Conference, Nice, France, 10-12 May, 2011. 1 p. 2011. P. 2-47.

Патенты, авторские свидетельства

2019

Михайлов А. Н., Белов А.И., Королев Д.С., Зубков С.Ю., Антонов И.Н., Сушков А.А., Шарапов А.Н., Павлов Д.А., Тетельбаум Д.И., Горшков О.Н., Филатов Д.О., Коряжкина М.Н. Оксидный мемристор с концентраторами электрического поля (Патент).

Тетельбаум Д.И., Васильев В.К., Михайлов А.Н., Николичев Д.Е., Белов А.И., Королев Д.С., Суродин С.И., Окулич Е.В., Шарапов А.Н., Маркелов А.С. СПОСОБ ИОННО-ЛУЧЕВОГО СИНТЕЗА НИТРИДА ГАЛЛИЯ В КРЕМНИИ (Патент).

Михайлов А.Н., Белов А.И., Королев Д.С., Зубков С.Ю., Антонов И.Н., Сушков А.А., Шарапов А.Н., Павлов Д.А., Тетельбаум Д.И., Горшков О.Н. Способ изготовления мемристора с наноконцентраторами электрического поля (Патент).

Кривулин Н.О., Павлов Д.А., Тетельбаум Д.И., Королев Д.С., Никольская А.А., Васильев В.К., Михайлов А.Н. Способ формирования гексагональной фазы кремния (Патент).

Кривулин Н.О., Павлов Д.А., Тетельбаум Д.И., Королев Д.С., Никольская А.А., Васильев В.К., Михайлов А.Н. Способ формирования гексагональной фазы кремния путем имплантации ионов криптона в пленку оксида кремния на пластине монокристаллического кремния (Патент).

2018

Михайлов А.Н., Белов А.И., Королев Д.С., Зубков С.Ю., Антонов И.Н., Сушков А.А., Шарапов А.Н., Павлов Д.А., Тетельбаум Д.И., Горшков О.Н., Филатов Д.О., Коряжкина М.Н. Оксидный мемристор с концентраторами электрического поля (Патент).

2017

Тетельбаум Д.И., Гусейнов Д.В., Васильев В.К., Михайлов А.Н., Белов А.И., Королев Д.С., Оболенский С.В., Качемцев А.Н., Данилов Ю.А., Вихрова О.В., Шарапов А.Н. Способ имитационного тестирования стойкости приборной структуры к облучению быстрыми нейтронами (варианты) (Патент).

2015

Тетельбаум Д.И., Васильев В.К., Михайлов А.Н., Белов А.И., Королев Д.С., Шарапов А.Н. Термостатирование полупроводниковых пластин при ионной имплантации (Патент).

Черкасская епархия / Организации / Патриархия.ru

Учреждена в 1992 году. Кафедральный город — Черкассы. Кафедральный собор — во имя Архистратига Михаила (Черкассы).

Решением Синода УПЦ от 8 мая 2008 года Черкасская епархия разделена на две самостоятельных: Черкасскую и Уманскую. За правящим архиереем Черкасской епархии оставлен прежний титул «Черкасский и Каневский».

За Черкасской епархией остались районы Черкасской области Украины: Городищенский, Драбовский, Золотоношский, Каменский, Каневский, Екатеринопольский, Корсунский, Смелянский, Черкасский, Чигиринский Чернобаевский, Шполянский. К Уманской епархии перешли районы Черкасской области: Жашковский, Звенигородский, Лысянский, Маньковский, Монастырищенский, Тальновский, Уманский, Христиновский.

Епархия сегодня
(по состоянию на июнь 2021 года)

Благочиния

  • Городищенское
  • Драбовское
  • Золотоношское
  • Каменское
  • Каневское
  • Катеринопольское
  • Корсунь-Шевченковское
  • Смелянское
  • Черкасское
  • Чигиринское
  • Чернобаевское
  • Шполянское

Епархиальное управление

18015, г. Черкассы, ул. Надпильна, 230; тел: +38(0472) 63-54-63 (дежурный), 63-74-41 (секретарь епархии), 63-68-17 (референт управляющего епархией)

Секретарь епархии — протоиерей Василий Вознюк.

Архангело-Михайловский кафедральный собор

18015, г. Черкассы, ул. Надпильна, 212

настоятель — архиепископ Черкасский и Каневский Феодосий

Епархиальные отделы

  • Епархиальный суд
    18015, г. Черкассы, ул. Надпильна, 230; тел. +38 (0677) 44-95-18; e-mail dimdobra.prav@gmail.com
    председатель — протоиерей Димитрий Ивануса
  • Епархиальная канцелярия
    18015, г. Черкассы, ул. Надпильна, 230; тел. +38 (0472) 63-74-41; e-mail ckeparch@gmail.com
    заведующий — протоиерей Анатолий Чертополох
  • Юридический отдел
    18015, г. Черкассы, ул. Надпильна, 230; тел. +38 (098) 376-16-71; e-mail cherkasy.yur.vid@gmail.com
    председатель — протоиерей Георгий Пограничний
  • Епархиальная ставленническая комиссия
    18015, г. Черкассы, ул. Надпильна, 230; тел. +38 (0472) 63-74-41; e-mail ckeparch@gmail.com
    председатель — протоиерей Анатолий Чертополох
  • Епархиальная архитектурно-строительная комиссия
    18015, г.  Черкассы, ул. Надпильна, 230; тел. +38 (096) 565-64-44; e-mail dav77@i.ua
    председатель — протоиерей Алексий Демченко; почетный сопредседатель — Василий Иванович Дмитренко, главный архитектор Черкасской области, народный архитектор Украины
  • Богословско-литургическая комиссия
    18015, г. Черкассы, ул. Надпильна, 230; тел. +38 (096) 119-80-54; e-mail lominui@ukr.net
    председатель — протоиерей Артемий Налапко
  • Епархиальный исторический отдел
    18015, г. Черкассы, ул. Надпильна, 230; тел. +38 (097) 844-84-54; e-mail ckeparch@gmail.com
    председатель — протодиакон Иоанн Полищук
  • отдел религиозного образования и катехизации
    18015, г. Черкассы, ул. Надпильна, 230; тел. +38 (067) 839-65-66; e-mail osvita-orthodox.ck@ukr.net
    председатель — иерей Иоанн Силенко
  • Миссионерско-просветительский отдел
    18015, г. Черкассы, ул. Надпильна, 230; тел. +38 (097) 993-26-47; e-mail missioner-prosvetitel. charch.ua@ukr.net
    председатель — протоиерей Артемий Чумак
  • отдел по благотворительности и социальному служению
    18015, г. Черкассы, ул. Надпильна, 230; тел. +38 (097) 173-88-11; e-mail nalapko1908@gmail.com
    председатель — протоиерей Димитрий Налапко
  • отдел по делам молодежи
    18015, г. Черкассы, ул. Надпильна, 230; тел. +38 (097) 012-08-18; e-mail burik@2upost.com
    председатель — протоиерей Евгений Буркацкий
  • отдел по делам семьи
    18015, г. Черкассы, ул. Надпильна, 230; тел. +38 (097) 301-37-94; e-mail chichinaioann@gmail.com
    председатель — протоиерей Иоанн Чичина
  • отдел по взаимодействию Церкви и культуры
    18015, г. Черкассы, ул. Надпильна, 230; тел. +38 (097) 402-45-54; e-mail batyshkasmyk@gmail.com
    председатель — протоиерей Александр Смык
  • отдел по взаимодействию Церкви и медицинских учреждений
    18015, г. Черкассы, ул. Надпильна, 230; тел. +38 (097) 720-72-46; e-mail ckeparch@gmail.com
    председатель — архимандрит Рафаил (Майборода)
  • Епархиальный издательский отдел
    18015, г. Черкассы, ул. Надпильна, 230; тел. +38 (067) 435-53-43; e-mail slepcowski@gmail.com
    председатель — Александр Касьянович Горшков
  • Паломнический отдел
    18015, г. Черкассы, ул. Надпильна, 230; тел. +38 (097) 293-54-52; e-mail pilgrim.ck.diocese@gmail.com
    и.о. председателя — Олег Николаевич Гунько
  • Епархиальный пенсионно-попечительский совет
    18015, г. Черкассы, ул. Надпильна, 230; тел. (0472) 63-74-41; e-mail ckeparch@gmail.com
    председатель — епископ Корсунь-Шевченковский Антоний

Монастыри

мужские:

  • Рождества Пресвятой Богородицы
    18020, г. Черкассы, ул. Благовестная, 374; тел.: +38 (0472) 71-32-88, +38 (097) 525–88–27; e-mail arh_ioan@bigmir.net
    наместник — епископ Золотоношский Иоанн, викарий Черкасской епархии
  • Онуфриев
    19631, Черкасская область, Черкасский район, с.  Чубовка; сайт https://jabotin-mon.church.ua/
    наместник — архимандрит Еразм (Борданов)
  • Онуфриев Гарбузинский
    19409, Черкасская область, Корсунь-Шевченковский район, с. Гарбузин
    наместник — архимандрит Антоний (Новицкий)
  • Алексиевский
    20743, Черкасская область, Смелянский район, с. Плескачовка; тел. +38 (096) 475-79-69
    наместник — архимандрит Алексий (Павленко)

женские:

  • Покровский Красногорский
    19700, Черкасская область, Золотоношский район, с. Бакаевка; тел. +38 (098) 342-39-22; сайт https://zolotonosha-mon.church.ua/
    настоятельница — игумения Арсения(Стецюк)
  • Свято-Никольский Лебединский
    20634, Черкасская область, Шполянский район, с. Лебедин; тел. +38 (097) 466–42–24; сайт https://lebedin-mon.church.ua/
    настоятельница — игумения Николая (Кривобок)
  • Свято-Троицкий Матронинский
    20933, Черкасская область, Чигиринский район, с.  Мельники; сайт https://matrona-mon.church.ua/
    настоятельница — игумения Илария (Топитчак)
  • Свято-Троицкий Чигиринский
    20901, г. Чигирин, ул. Короленко, 47; тел. +38 (04730) 2-53-83; сайт https://chigirin-mon.church.ua/
    настоятельница — игумения Екатерина (Калашник)
  • Спасо-Преображенский Стеблевский
    19451, Черкасская область, Корсунь-Шевченковский район, пгт Стеблев; тел. +38 (04735) 5-98-76, 5-99-99; сайт https://steblev-mon.church.ua/
    настоятельница — игумения Манефа (Герасименко)
  • община в честь иконы Божией Матери «Азъ есмь с вами и никтоже на вы»
    20933, Черкасская область, Чигиринский район, с. Мельники, ул. Холодноярская, 123; тел. +38 (099) 645-01-70
    старшая сестра — инокиня Иерофея (Штефура)
  • община в честь святой равноапостольной княгини Ольги
    20743, Черкасская область, Смелянский район, с. Плескачовка; тел. +38 (096) 475-79-69
    духовник — архимандрит Алексий (Павленко)

Церковные СМИ

  • газета «Голос Православия»
    20700, Черкасская область, г.  Смела, ул. Мичурина, 7, Покровский собор; тел. (04733) 4-32-14
    главный редактор — протоиерей Петр Дмитрук
  • официальный сайт Черкасской епархии cherkasy.church.ua
    тел. +38 (066) 353-07-00; e-mail r.sergij@gmail.com (Сергей Алексеевич Рудоман)

Духовно-просветительские центры, братства, сестричества и объединения

  • Первая Черкасская православная гимназия
    19646, Черкасская область, Черкасский район, с. Чернявка, ул. Шевченко, 31; тел. +38 (050) 659-45-69; e-mail andrey.degterenko@mail.com
    директор — Андрей Юрьевич Дегтеренко
  • Черкасская православная гимназия им. преподобномученика Макария, Переяславского и Каневского чудотворца
    18015, г. Черкассы, ул. Надпильна, 230; тел. +38 (067) 839-65-66; e-mail osvita-orthodox.ck@ukr.net
    директор — иерей Иоанн Силенко
  • Черкасская епархиальная иконописная школа
    18015, г. Черкассы, ул. Надпильна, 230; тел. +38 (067) 336-34-97; e-mail adinach2802@gmail. com
    главный специалист — Надежда Анатольевна Чернявская
  • Молодежный дискуссионный клуб «Диалог»
    18015, г. Черкассы, ул. Надпильна, 230; тел. +38 (097) 863-05-25; e-mail prudja@gmail.com
    координатор — протоиерей Олег Пруденко
  • Благотворительная организация «Православный дом престарелых в честь прмц. Рафаилы Чигиринской»
    19801, Черкасская область, с. Драбов, ул. Первомайская, 5; тел. +38 (098) 002-95-11; e-mail dimdobra.prav@gmail.com
    директор — Ольга Мирославовна Ивануса

Шалва Чигиринский дал показания против Елены Батуриной — РБК

Как пояснил РБК Шалва Чигиринский, около двух лет назад Виктор Батурин встретился с бизнесменом и рассказал свою версию конфликта с сестрой, а уже после начала судебного процесса в австрийском суде попросил его выступить свидетелем.

Виктор Батурин подтвердил, что такие обсуждения с Чигиринским действительно велись, и добавляет, что недавно они приобрели более предметный характер.

Читайте на РБК Pro

Что связывает Чигиринского и Елену Батурину

Чигиринский в своих показаниях напоминает о том, что давно знаком с Батуриными, а также с 1999 года сам был партнером Елены Батуриной по совместным бизнесам в нефтяной отрасли и в сфере недвижимости. Это партнерство строилось на паритетной основе 50/50 и при условии, что все прибыли и убытки делятся между сторонами пополам. «Согласно договоренностям, я должен был обеспечивать финансирование для определенных крупных проектов, связанных с недвижимостью и нефтью, а Елена Николаевна Батурина должна была через своего мужа — мэра Москвы Лужкова Юрия Михайловича — обеспечить устранение любых бюрократических вопросов на пути развития бизнеса», — пишет Чигиринский.

Глава А1 объяснил участие в «деле Батуриных»

По его версии, с учетом «общественного положения» Батурина сначала настояла на том, чтобы их с Чигиринским партнерство оформлено не было. Совместные компании — Rossini Trade Ltd и Salvini Trading Corp. — с распределением долей партнеров появились только в 2003 году. В пользу этих же компаний Чигиринский передал половину компаний Bennfield Ltd и Kea Enterprises Ltd: первой принадлежал пакет акций нефтяной Sibir Energy, на вторую были оформлены крупные объекты недвижимости в Московском регионе.

Сотрудничество продолжалось вплоть до конца 2008-го — тогда, по версии бизнесмена, Батурина «совместно с рядом лиц осуществила действия по захвату моих долей в бизнесе». Деталей «захвата» Чигиринский не приводит.

Представитель Батуриной связал объявление ее в розыск с А1 Фридмана

Приведенные Чигиринским детали сотрудничества с Батуриной уже частично озвучивались им в 2009 году, в рамках его судебного процесса с кредиторами в Лондоне. Тогда бизнесмен обвинил Батурину в захвате через подставных лиц его доли в Sibir Energy.

В 2010 году в Лондоне между Чигиринским и кредиторами было заключено мировое соглашение — в результате бизнесмен лишился большей части нефтяных и девелоперских активов в России и имущества за рубежом, которые ушли на урегулирование всех претензий кредиторов.

Суды Батуриных в России

Различные судебные процессы вокруг «Интеко» (с различными предметами спора) между Батуриными в России идут уже давно и пока преимущественно не в пользу Виктора Батурина. Например, в 2011–2012 годах Батурин пытался оспорить сделку по продаже «Интеко», оперируя тем, что ему принадлежит четверть компании. Но представленная им версия приложения к мировому соглашению (которая сейчас и фигурирует в австрийском суде) «не может служить допустимым доказательством довода о нахождении в собственности истца 25% акций», следовало из материалов дела.

Что рассказал суду Чигиринский про «Интеко»

Чигиринский общался «по бизнесу и по личным вопросам» с Батуриными «практически ежедневно» — с 1994 года их офисы располагались в одном здании в Никитском переулке.

Совместный бизнес Елены и Виктора Батуриных, организованный на паритетных началах, был основан на производстве пластмасс. Но «радикальные изменения» произошли после того, как «Интеко» решило заниматься строительным бизнесом. «Особенно масштабный рост» пошел в начале 2000-х, когда по инициативе Виктора Батурина были куплены контрольные пакеты «ДСК-3» и «Осколцемента». «Выход на строительный рынок Москвы с использованием беспримерного уровня административного обеспечения со стороны всех структур правительства Москвы» и других форматов поддержки, по версии Чигиринского, позволили многократно увеличить доходность компании.

Инициатор уголовного дела против Батуриной выплатил ей компенсацию

Далее Чигиринский вспоминает развод Батурина с его женой Натальей — она получила 25% «Интеко», которые, по информации Чигиринского, затем выкупила Елена Батурина всего за $500 тыс. Ее же бизнесмен называет инициатором такой схемы развода с целью завладеть пакетом «Интеко», поскольку экс-супруга «панически боялась» Батурину.

В декабре 2005 года Батурин пришел к Чигиринскому и рассказал об очень «неприятном разговоре» с сестрой — между ними выяснились серьезные разногласия о том, как дальше вести бизнес. Кроме того, Батурина потребовала от брата передать доли в их совместных компаниях бизнесмену Сулейману Керимову, с которым она тогда начала активно сотрудничать в сфере недвижимости. Дату этого разговора Чигиринский помнит особенно хорошо, поскольку накануне исполнилось 200 лет со дня Аустерлицкого сражения — «и мы с Виктором, который так же, как и я, интересовался личностью Наполеона и его военных кампаний», обсуждали его.

«Дорожу возможностью надеть кепку и прошвырнуться»: каким был Юрий Лужков

После этого разговора отношение Батуриной к брату «радикально изменилось» и переросло «в откровенную ненависть». Чигиринский указывает, что никогда не слышал ни от Елены, ни от Виктора, что последний передал оставшиеся у него 25% «Интеко» сестре. Наоборот, Батурина «высказывала сожаление», что брат сохранит долю в компании. Единственная сделка по акциям «Интеко» между братом и сестрой, о которой знает Чигиринский, — это продажа Батуриным 1% «Интеко» в 2006 году.

Чигиринский, узнав в 2018 году о новых судебных процессах между Батуриными, в которых Елена говорит о подаренных ей братом 25% «Интеко», называет эти заявления «ложными» и «связанными с нежеланием «делиться с братом полученным доходом».

«Глупость и ложь не хотим комментировать», — сообщил РБК Геннадий Теребков, пресс-секретарь Елены Батуриной.

Суд в Элисте отменил розыск Елены Батуриной

Какой статус у показаний Чигиринского

Аффидевит в системе англосаксонского права — это письменное показание или заявление лица, выступающего в роли свидетеля, дается под присягой и удостоверяется нотариусом или иным уполномоченным должностным лицом, напоминает Дмитрий Горбунов, партнер фирмы «Рустам Курмаев и партнеры».

Наличие присяги подразумевает наличие соответствующей ответственности за недостоверность сведений, изложенных в аффидевите.

Но в Австрии действует континентальная система права, и в этой системе аффидевит, представленный защитой, может не иметь никакого веса в суде и в лучшем случае будет просто принят к сведению, добавляет Горбунов. Подача юридически значимых свидетельских показаний обычно устроена так: допрос свидетелей или обвиняемых осуществляется в присутствии нотариуса или иного уполномоченного лица, в зависимости от особенностей судебной и правовой системы; это лицо подтверждает подлинность показаний и засвидетельствует (подтверждает личность) лиц, которые их дали, а также объясняет в процессе их права и обязанности. Для австрийского суда в этом случае важно решить вопрос, удовлетворяет ли такой документ требованиям местного законодательства, то есть была ли, например, произведена должным образом идентификация. «Таким образом, письменные подтвержденные показания действительно становятся чем-то вроде аффидевита, то есть могут быть приняты судом», — пояснил адвокат.

Прощание с Юрием Лужковым в Москве. Фоторепортаж

Шалва Чигиринский — РБК: «Они ссорились часто, как брат и сестра, и это нормально»

— Елена Батурина знает про ваше участие в деле на стороне брата?

— Я не знаю. Последний раз я с Батуриной встретился 12 января 2009 года.

— Разбирательства идут уже много лет, и пока Батурину не удавалось существенно продвинуться в доказательстве своей позиции. Почему сейчас это может произойти?

— Насколько мне известно, в российских судах еще не было процессов между Батуриными по тому предмету, который рассматривается в австрийском суде. Все иные судебные разбирательства Виктора с Еленой проходили в российских судах, которые я до сих пор называю советскими.

Сейчас ситуация совсем иная: факты рассматриваются в австрийском суде, и там есть такая «мелочь», как экспертиза подлинности документов (мирового соглашения и приложений. — РБК), и Батурин, надеюсь, сможет доказать свою правоту. Австрийский суд — это совершенно другой уровень рассмотрения. Если бы мне надо было давать показания для российского суда, то я бы еще подумал, делать это или нет. В австрийском суде я знаю, что дело будет рассмотрено чисто. Экспертизы будут правильные. Эксперта и нотариуса не подкупишь, мошенничества не будет.

— Природа конфликта между Батуриными личная или экономическая?

— Они ссорились очень часто, как брат и сестра, и это нормально. Но эти ссоры всегда заканчивались тем, что Витя уходил в сторону и добровольно отдавал Лене, так сказать, пальму лидерства в этой компании. Он с любовью к ней относился и как к большому начальнику, потому и говорил часто: «Леночка, можно я тебе доложу обстановку». При этом сам Виктор выполнял большой объем рутинной, ежедневной работы, по-английски day-to-day job, без которой никакой успех в бизнесе невозможен.

Но корень конфликта, конечно, экономический. Как говорят мафиози, ничего личного.

— Цель у него — восстановить права на «Интеко»?

— Человек отсидел срок с подачи своей сестры, у него забрали бизнес, который он основал и в котором он играл большую роль. И, естественно, он хочет восстановить справедливость, очистить свое имя, свою репутацию. Он оказался, так сказать, оболганным, оплеванным. Он нормальный человек, нормальный парень совершенно.

— Ваш аффидевит во многом повторяет формулировки из вашего судебного процесса с Батуриной 2009 года.

— Я вынужден был тогда раскрыть свое партнерство с Батуриной, потому что иначе я мог просто остаться без ничего. Она примерно то же самое совершила со мной, что и с Виктором Батуриным, это ее методы. Мы с ней были в партнерских отношениях. Были ли у нее с кем-либо кроме меня партнерские отношения, я не знаю, может быть. Но я был в очень близких отношениях с ней, с ее супругом с Юрием Михайловичем, которого я уважаю, я его очень любил и сожалею о его смерти. Я считаю, что Юрий Михайлович стал жертвой Елены Николаевны.

— В каком плане?

— Елена Николаевна влияла на его решения, она практически зомбировала его для достижения поставленных ею целей. Фактически она создала теневое правительство Москвы под своим руководством.

— Почему активизация процессов против Батуриной началась после смерти Юрия Лужкова?

— В какой-то степени это естественно. Учитывая тот факт, что я очень любил и уважал Юрия Михайловича, я ни в коем случае не сделал бы чего-нибудь против Елены Николаевны, если бы он был жив, по той простой причине, что Юрий Михайлович был фанатически убежден в гениальности своей супруги и в ее безгрешности. Какое-то уникальное чувство любви, уважения к человека и веры в него. И если бы я начал судебное преследование Елены Николаевны, то это бы его очень огорчило. Он всем рассказывал, что Елена Николаевна могла бы и президентом стать. Он мне пересказывал свой разговор с Владимиром Путиным, который в свойственной ему манере очень мягко намекнул, что как-то нехорошо, что Елена Николаевна бизнесом занимается. И Лужков, по его словам, ему ответил: «Владимир Владимирович, это я мешаю Лене зарабатывать. Если бы не я, она разве бы продала цементный завод, чтобы не было конфликта интересов? Если бы не моя должность, Елена была бы мультимиллиардером». Он искренне в это верил.

— Повлияло ли как-то на ваше решение встать на сторону Батурина то, что его сопровождает А1? Вы с ними как-то взаимодействуете?

— У меня была пара встреч с ними, но это просто рутинная работа была: меня спрашивали, что я знаю, что я могу рассказать. Но никаких официальных отношений с А1 у меня нет. Но я думаю, что они не берутся за авантюрные дела или те дела, которые заведомо безнадежны. И это сильный фактор, конечно. Я знаю, так сказать, главных людей в «Альфе», естественно, — Михаила Фридмана, Петра Авена.

— С ними вы ситуацию Батуриных обсуждали? Ведь именно Михаила Фридмана Елена Батурина называла рейдером и бенефициаром всего негатива против себя.

— В дружественной форме обмена информацией. Я думаю, что Елена Николаевна знает точно, что такое рейдерство. Для нее эта тема не должна быть новой. Но почему-то сейчас она обвиняет в рейдерстве тех, кто пытается получить законное свое, ведь, насколько мне известно, А1 является кредитором Виктора, которому должна его сестра.

Я думаю, что ей придется пересмотреть тот modus operandi, к которому она привыкла. Много лет назад у меня был разговор с Еленой Николаевной. Мы с ней летели в ее самолете, и возник такой разговор. Я ее спросил: «Лена, как ты видишь свою жизнь после Лужкова?» На это она ответила: «Я думала об этом, но так далеко не заглядывала». Но, видимо, нужно было думать.

Книга «Люди Путина», почему российские олигархи дружно судятся с ее автором Кэтрин Белтон — новости Украины,

В начале мая издание Finanсial Times cообщило, что российские миллиардеры подали иски в Лондонский суд на Кэтрин Белтон, авторку книги «Люди Путина: как КГБ вернул себе Россию и завоевывает Запад». Среди истцов Михаил Фридман, Петр Авен, Роман Абрамович, Шалва Чигиринский и корпорация Роснефть (это не коллективный иск).

Что в книге так не понравилось олигархам и что нового она рассказывает о путинской России?

LIGA.net прочитала работу Белтон (доступна только на английском языке) и пересказывает пять примечательных историй о Путине, его друзьях, российских олигархах и больших деньгах.

Контрабанда и первый «ландромат». Чем занимался Путин в Дрездене

Книга «начинается» в Восточной Германии, которая просто кишит КГБ-шниками, рассказывает трансформацию Путина из КГБиста в невзрачного чиновника мэрии Петербурга, а затем в молодого президента-либерала, а дальше —  в диктатора, создавшего системы власти, где крупнейшей страной мира руководит десяток выходцев из КГБ.

Бывшая корреспондентка Financial Times в России Кэтрин Белтон описала не только восхождение Путина ко власти, но и детально расписала постепенный захват его сослуживцами и друзьями детства почти всех отраслей российской экономики.

Disclaimer:

Белтон ссылается на многочисленных собеседников, в том числе среди близкого окружения Путина и его соратников. Многие из них сохраняют анонимность. Один из публичных спикеров – российский миллиардер Сергей Пугачев – имеет конфликт интересов, он бежал из России, и обвиняет Путина в захвате своих активов.

Другой важный источник – экс-топ-менеджер банка Россия Сергей Колесников, сбежавший в начале 2010-х из России на Запад. Он рассказал о схемах по выводу денег из российских госкорпораций в офшоры.

В некоторых случаях автор не приводит альтернативных источников озвученной информации. В связи с этим многие утверждения невозможно подтвердить или опровергнуть.

С началом Холодной войны (ранние 50-е) Дрезден стал центром коммерческого шпионажа Восточной Германии, отрезанной от остального Запада экономически, культурно и технологически.

Чтобы закрыть прореху, местная спецслужба Штази при поддержке КГБ занималась «контрабандой» технологий. В середине 80-х бизнес-разведка была особо активной: десятки советских агентов работали во Франции и в западногерманских компаниях, таких как Siemens и Bayer.

Поиск информаторов в Западной Европе – одна из ключевых задач 32-летнего офицера КГБ Владимира Путина в ГДР, который прибыл в страну в 1985-м. Уже скоро акценты изменились: спецслужбисты начали решать другой вопрос – как создать канал по выводу денег из рушащегося социалистического блока.

Контакты среди западных бизнесменов стали одним из главных активов советских силовиков в Германии. Белтон пишет, что одним из помощников Штази-КГБ стал австрийский предприниматель Мартин Шлафф, который через свои фирмы перенаправлял деньги из ГДР в Лихтенштейн, Сингапур и Швейцарию. К примеру, с 1986 по 1988 годы он получил 130 млн марок (в тот момент – порядка $70 млн) якобы под финансирование секретного военного проекта, который так и не был реализован.

От редакции. Мог ли австрийский олигарх сотрудничать с КГБ

Прямая связь Шлаффа с Путиным не подтверждена. Белтон утверждает, что в 80-х он ездил в Москву для консультаций с «официальными лицами», а после распада соцблока его структуры стали вести бизнес с компаниями, приближенными к правящему режиму Путина.

Косвенные подтверждения: еще в середине нулевых немецкая пресса писала о связи с Газпромом компании из орбиты Шлаффа Centrex.

Сейчас Шлафф – один из богатейших людей Австрии, он владеет лидером мирового рынка огнеупорных материалов RHI Magnesita, имеет бизнес-проекты в России. 

Что Альфа-Групп могло не понравиться в книге?

Альфа-Групп (активы в Украине – Альфа-Банк, Киевстар, Моршинська) – международная бизнес-структура, один из крупнейших холдингов российского происхождения. Альфа-Банк – самый большой частный банк РФ.

Основатели группы – участники российского списка Forbes: выходцы из Львова и Киева Михаил Фридман (11 место, состояние – $15,5 млрд) и Герман Хан (18-е, $10,1 млрд), сокурсник Фридмана Алексей Кузьмичев (24, $7,8 млрд), а также министр первого посткоммунистического правительства России Петр Авен (30, $5,3 млрд).

Авторка книги утверждает, что бизнесменам удалось сохранить свой бизнес, созданный еще в начале 90-х, благодаря контактам со спецслужбами и хорошим отношениям лично с Путиным. Она приводит несколько косвенных аргументов.

Первый: нынешний глава совета директоров Альфа-Групп Авен во время работы в правительстве РФ пересекался с Путиным при контактах с мэром Петербурга Анатолием Собчаком, которому ассистировал будущий президент. С разрешения Авена Путин организовал систему, в рамках которой мэрия выдавала частным компаниям лицензии на продажу за границу государственных запасов металлов, нефти и нефтепродуктов в обмен на поставки в РФ продовольствия. Так власти хотели решить продовольственный кризис, но фактического импорта продуктов не происходило.

Второй: Белтон пишет, что Фридман был «одним из молодых комсомольцев, культивируемых КГБ первыми бизнесменами страны».

Третий: она приводит обстоятельство, что с середины нулевых одним из ключевых активов Альфа-Групп компании CTF Holding, зарегистрированной на Гибралтаре, руководил Франц Фольф – сын Маркуса Вольфа, главы Штази конца 80-х, с которым Путин пересекался в Дрездене.

От редакции. Альфа-Групп и Путин – есть ли связь?

О причастности Франца Вольфа к Альфа-Групп (он имел отношение и к другим активам) стало известно благодаря публикации материалов OffshoreLeaks в немецкой прессе в 2013 году.

В 2017 году в «досье Трампа», которое по заказу компании Fusion GPS составил бывший британский разведчик Кристофер Стил, утверждалось, что Фридман, Хан и Авен состоят в хороших отношениях с Путиным, консультируя его по поводу международной политики в обмен на «помощь в бизнес-вопросах». Бизнесмены пытались оспорить информацию в американском суде и проиграли. После чего подали иск в Лондонский суд и там выиграли дело, суд постановил исправить содержание доклада. 

В интервью российскому Forbes в 2017 году Фридман отрицал любые неформальные отношения с Путиным. Однако подтвердил, что действительно был сокурсником Владислава Суркова – многолетнего помощника президента РФ и топ-чиновника Кремля.  В 2018 году Минфин США внес Фридмана и Авена в список 210 россиян «приближенных к Путину».

Еще одна деталь: в 2017 году инвестфонд MSP Stiftung купил около 10% компании ABH Holding, владеющей Альфа-Банком. Владелец Фонда – австриец Мартин Шлафф, тот самый человек, который в конце 80-х сотрудничал со Штази.

Подтверждений связи Фридмана или Авена с КГБ авторка книги не приводит.

«Общак» для клана Путина

В книге утверждается, что относительно малоизвестная страховая компания из орбиты Газпрома Согаз и петербуржский производитель медпрепаратов «Петромед» в середине нулевых  были «общаком» новой элиты Путинской России.

Через Согаз выводились деньги Газпрома, Петромед принимала «донаты» – платежи российских бизнесменов в обмен на лояльность Путина и его окружения. Потоки замыкались на счетах в банке Россия, акционерами которого были члены близкого круга президента РФ – Ковальчук, Тимченко, Якунин, Шамалов и другие.

Белтон пишет, что один из первых таких «донатов» – $203 млн – уже в 2001 году внес олигарх «ельцинской эпохи» и протеже Бориса Березовского Роман Абрамович. Деньги ушли в офшорах в Панаме и на Британских Виргинских Островах. Панамскую компанию Santal Trading высокопоставленные сотрудники банка Россия называли «сейфом». За эти деньги, в частности, строился недавно найденный «дворец Путина» на Черноморском побережье. После этого о праве собственности на объект заявил один из друзей президента РФ Аркадий Ротенберг.

Еще один знаковый «общак» – швейцарский нефтетрейдер Gunvor, которым формально владеет Тимченко. Эта компания – крупнейший торговец российской нефтью и один из главных бенефициаров атаки российских властей на нефтяную компанию ЮКОС Михаила Ходорковского.

По мнению автора, Тимченко – только формальный держатель Gunvor. Ее швейцарская регистрация позволяет считать компанию «скрытым кошельком Путина» и его окружения, объемом минимум $10 млрд. Документальных подтверждений этой версии нет.

Один из инсайдеров Белтон, рассказал примечательную деталь, что топ-руководители РФ использовали при обсуждении бизнеса псевдонимы. «Никнейм» Путина – «Михаил Иванович», Ковальчука – «Косой», Миллера – «Солдат», Тимченко – «Гангрена».  

Сам Тимченко – один из самых непубличных членов окружения Путина. Не только для общественности: даже некоторые близкие соратники президента РФ могли ни разу не видеть этого нефтяного магната.

Тамбовские, Солнцевские и украинский след

Петербург начала 90-х – важная точка в истории становления клана Путина, пишет автор. Тогда город был вотчиной «тамбовской ОПГ», в частности группировка занималась контрабандой через Петербуржский порт, руководителем которого был будущий глава Газпрома Алексей Миллер, а неформальным куратором выступал коллега Путина по КГБ Ленинграда Виктор Иванов.

От редакции. Путин и «тамбовская ОПГ»

Сам Путин в то время был чиновником питерской мэрии (председателем Комитета по внешним связям), позже – вице-мэром города.

В 1997-2000 Путин был консультантом на общественных началах российско-немецкой компании SPAG. В 2001 американский журнал Newsweek и итальянская газета La Repubblica писали, что компанию контролировала «тамбовская» ОПГ, которая использовала ее для отмывания денег. В частности, на деньги колумбийской наркомафии «тамбовцы» приобретали недвижимость в Петербурге.

В 2016 году в Испании завершилось расследование об отмывании денег членами «тамбовской ОПГ». Среди фигурантов были люди, приближенные к правящей элите РФ: депутат Госдумы Владислав Резник и заместитель близкого соратника Путина Виктора Иванова Николай Аулов. 

Болтон утверждает, что в нулевых Путин имел связи с еще одной известной российской ОПГ – «солнцевской». Одна из ключевых фигур группировки – Семен Могилевич, один из самых опасных преступников мира, по мнению ФБР.

«Солнцевские» занимались отмыванием денег и энергетическим бизнесом. Один из самых запоминающихся эпизодов – участие Могилевича в газовых переговорах между Россией и Украиной. Он помог навязать компанию-посредника при поставках газа в Украину – Росукрэнерго, которой владели Газпром и структуры протеже Могилевича Дмитрия Фирташа.  

Челси Абрамовича – для Путина

В 2003 году российский олигарх Роман Абрамович купил футбольный клуб Челси из Лондона за $240 млн.

В тот момент бизнесмен продал свои основные активы (Сибнефть – Газпрому, долю в «Русском алюминии» – Олегу Дерипаске) и занимал пост губернатора Чукотки. По мнению Болтон, возможности избежать странного назначения он не мог, опасаясь судьбы другого олигарха Михаила Ходорковского, который получил десятилетний срок по обвинению в мошенничестве.

Покупка Челси должна была стать хорошим пиаром и пропуском в британское общество – не только для элиты, но и для обычных граждан. Неизвестно, думал ли об этом Абрамович, однако идея заняться футболом в Англии принадлежала не ему, а Путину.

Президент РФ уже тогда хотел повысить международный имидж России. Среди его целей были крупные спортивные мероприятия – Олимпийские игры и Чемпионат мира по футболу. Путин своего добился: в 2014 году РФ приняла зимнюю Олимпиаду, в 2018-м – футбольный ЧМ.  

Действующие лица. Путин и его близкий круг

Кто те самые люди, захватившие власть в России, о чем пишет журналистка Financial Times?

Владимир Путин, 68 лет, президент РФ – экс-агент КГБ, работавший в ГДР (Дрезден), заместитель мэра Санкт-Петербурга Анатолия Собчака, в 90-х – директор ФСБ, президент России с 2000 года (с 2008 по 2012 годы президентом был Дмитрий Медведев, Путин занимал кресло премьер-министра).

Николай Патрушев, 69 лет, глава Совбеза РФ – экс-директор ФСБ (службы-преемницы КГБ), один из идеологов «возрождения Российской Империи», наиболее влиявший на Путина в начале президентства.

Игорь Сечин, 60 лет, глава корпорации Роснефть – экс-сотрудник КГБ Ленинграда; личный секретарь Путина в мэрии Санкт-Петербурга; в первые годы президентства Путина – замглавы Кремля.

Сергей Иванов, 68 лет, член Совбеза РФ – два года работал вместе с Путиным в КГБ Ленинграда; при президенте Путине – министр обороны РФ и глава Кремля.

Владимир Якунин, 72 года, экс-глава РЖД – выходец из Ленинграда, офицер КГБ. Считается одним из ближайших соратников Путина.

Виктор Иванов, 70 лет, – еще один выходец из ленинградского КГБ; топ-чиновник времен первого срока Путина, возглавлял первую экспансию Кремля в экономику. Считается «помощником» тамбовской ОПГ в поставках наркотиков из Колумбии в Западную Европу через порт Санкт-Петербурга.

Николай Шамалов, 71 год, – в 90-е – сотрудник Путина мэрии Петербурга, представитель компании Siemens в России, информатор КГБ/ФСБ. Сын Шамалова – Кирилл – был женат на дочери Путина Екатерине Тихоновой. Сейчас Кирилл Шамалов – вице-президент компании Сибур Геннадия Тимченко. Другой сын Шамалова – Юрий – руководит крупнейшим частным пенсионным фондом России Газфонд, которому принадлежит Газпромбанк (входит в топ-3 банков в РФ, изначально принадлежал Газпрому).  

Дмитрий Медведев, 55 лет, замглавы Совбеза РФ, председатель путинской партии Единая Россия – юрист, начинал как заместитель Путина во главе мэрии Петербурга. В 2008-2012 годах был президентом РФ, отказавшись идти на второй срок в пользу Путина.

Сергей Чемезов, 68 лет, гендиректор корпорации Ростех – сослуживец Путина во время службы в Дрездене.

Алексей Миллер, 59 лет, глава Газпрома – коллега Путина по комитету внешних связей Петербуржской мэрии, экс-директор порта Петербурга.

Виктор Черкесов, 70 лет, шеф и ментор Путина в КГБ Ленинграда, позже – заместитель будущего президента РФ, когда тот возглавлял ФСБ. Оставался ключевым советником Путина в первые годы его президентства.

Геннадий Тимченко, 68 лет, совладелец компаний Новатэк и Сибур (вторая после Газпрома газовая компания и крупнейший нефтехимический холдинг России) – начинал в Петербурге, близко знаком с Путиным с начала 90-х, к середине нулевых стал крупнейшим трейдером российской нефти через компанию Gunvor.

Юрий Ковальчук, 69 лет, совладелец банка Россия, крупнейший медиамагнат страны. По данным Минфина США, это финучреждение обслуживает российскую политическую элиту во главе с Путиным. Среди акционеров банка Россия – компании Тимченко, Якунин, Шамалов. Племянник Ковальчука Кирилл возглавляет Национальную медиагруппу, в которую, среди прочего, входит Первый канал.

Аркадий Ротенберг, 69 – экс-партнер Путина по дзюдо, сейчас – один из крупнейших господрядчиков России. Его компания строила мост в оккупированный Крым, который обошелся бюджету РФ примерно в $5 млрд.

Если Вы заметили орфографическую ошибку, выделите её мышью и нажмите Ctrl+Enter.

российских миллиардеров и «Роснефть» подали в суд из-за книги о восхождении Путина — FT

Три российских магната и нефтяной гигант «Роснефть» подали в Великобритании иски о клевете и защите данных против издателя нашумевшей книги журналистки Кэтрин Белтон 2020 года «Люди Путина», сообщает Financial Times.

Миллиардеры — Михаил Фридман, его давний деловой партнер Петр Авен и магнат в сфере недвижимости Шалва Чигиринский — и «Роснефть» подали шквал исков в марте и апреле, примерно в течение года, когда по британскому законодательству истек срок для исков о клевете, сообщила в субботу FT.

HarperCollins защищал «Людей Путина», в центре внимания которых находится возвышение президента Владимира Путина и его отношения с богатыми олигархами, как «авторитетную, важную и добросовестную работу».

«Мы будем решительно защищать эту знаменитую и новаторскую книгу, а также право освещать вопросы, представляющие значительный общественный интерес», — цитирует FT издателя.

Представитель Фридмана сообщил FT, что ни банковский, розничный и телекоммуникационный магнат, ни глава группы «Альфа-банк» Авен заранее не знали о других судебных процессах и что они не координировали юридическую стратегию с другими истцами.

Издание сообщило, что британские активисты за свободу слова призвали к реформе лондонской судебной системы, которую они обвинили в том, что она стала излюбленным местом мировой элиты для судебных исков против критически настроенных журналистов в Соединенном Королевстве и во всем мире.

Белтон — специальный корреспондент Reuters, бывший московский корреспондент The Financial Times и ранее работал корреспондентом The Moscow Times.

Миллиардер Роман Абрамович ранее подал иск о клевете против Белтона и HarperCollins из-за книги.Абрамович оспорил утверждения книги, исходящие от беглого миллиардера Сергея Пугачева, которого британский суд назвал ненадежным свидетелем, о том, что он купил футбольный клуб «Челси» в 2003 году по указанию Путина, чтобы поднять авторитет России на Западе.

Что случилось с Дмитрием Чигринским, защитником «Барселоны» за 20 миллионов фунтов стерлингов?

В конце великолепного, кинематографически совершенного сезона 2008/09 «Барселона» стояла особняком от своих соперников.Чемпионы Ла Лиги, победители Копа дель Рей и победители Лиги чемпионов — эту команду редко можно было увидеть в футболе, независимо от времени и места. Демонстрируя неопровержимое сочетание чутья, мастерства и духа, «Барселона» достигла своей Земли Обетованной, и они сделали это под захватывающим видением одного из своих любимых сыновей, Пепа Гвардиолы.

Да, дебютный сезон Гвардиолы на «Камп Ноу» был настолько властным, сокрушительным, что ему практически дали полную свободу атаковать трансферный рынок любым способом, который он считал нужным. Как бы то ни было, подходящим оказался Златан Ибрагимович, 59 миллионов фунтов стерлингов, подаренных клубом Гвардиоле за свержение «Реала» как королей Испании и «Манчестер Юнайтед» как королей Европы.

То, что произошло дальше, не нуждается в пересказе. Печально известные непростые отношения Ибрагимовича и Гвардиолы привели к тому, что шведский нападающий покинул Каталонию всего 12 месяцев спустя, когда его отдали в аренду в «Милан». Проблемы Ибрагимовича и возможный уход из «Барселоны» вызвали такой уровень споров и интриг, что столь же любопытная история ухода Дмитрия Чигринского показалась забавной маленькой сноской.

Чигринский стал еще одним неудачным трансфером Гвардиолы тем летом. Он был долговязым украинским центральным защитником, который прибыл в «Барселону» за кругленькую сумму в 20 миллионов фунтов стерлингов тем же летом, когда Ибрагимович был представлен более чем 55 000 болельщиков. Но было определенно меньше фанфар для этой длинноволосой, подчеркнутой фигуры, которая прибыла в лучший клуб мира без недостатка надежды и мистики, но ушла довольно позорно, обреченная на включение в списки «худших трансферов» на долгие годы.

Но, возможно, Чигринский достоин большего. Он был далеко не великим защитником, но он также был жертвой обстоятельств. Чигринский, вопреки желанию Гвардиолы, был продан обратно в донецкий «Шахтер» за 15 миллионов фунтов стерлингов, набрав всего 851 минуту игрового времени в «Барселоне». Хотя Гвардиола видел в Чигринском многообещающие перспективы, президент клуба Сандро Росель остался равнодушным к украинцу и потребовал его продажи, чтобы облегчить тяжелое экономическое положение клуба в то время.

Вернувшись на родину с запятнанной репутацией начинающего защитника, нам оставалось только гадать, как сложилась бы его карьера, если бы у Гвардиолы было время для тесного сотрудничества с игроком. Вместо этого у нас осталась карьера в «Барселоне», которой никогда не было, и карьера, которая так и не стала прежней.

Чигринский, человек с завидной гривой волос и фамилией, в которой даже самый искусный репортер матчей может опечататься, зарекомендовал себя как молодой талант в «Шахтере», когда ему еще не исполнилось 20 лет.Дебютировав в 17 лет, он успешно провел период аренды в запорожском «Металлурге», что помогло отточить его зарождающееся мастерство до уровня, достойного первой команды «Шахтера».

Чигринский попал в самое пекло борьбы в «Шахтере», и, понятное дело, ему пришлось нелегко. Его первый дебют состоялся в Лиге чемпионов, не меньше, чем против «Барселоны», в 2005 году, и после этой игры он признался, что нервничает. Менеджер «Шахтера» Мирча Луческу признал, что час Чигринского близок, но обеим сторонам придется проявить терпение, прежде чем юноша начнет развиваться.Переход в «Металлурге» в аренду был правильным ходом на тот момент, и он окупился.

Читать  |  Эдгар Давидс: дневники Барселоны

В сезоне 2006/07 Чигринский закрепил за собой место в центре обороны команды Луческу, в которую также входили Фернандиньо, Дарио Срна и Элано. Хотя «Шахтер» не смог выиграть титул в том году, Чигринский довел свою команду до финала кубка, проиграв киевскому «Динамо» со счетом 2:1.

После череды впечатляющих выступлений имя Чигринского стало чаще появляться в сводках европейских скаутов.В сезоне 2007/08 его влияние продолжало расти: «Шахтер» выиграл чемпионат и кубок, а центральный защитник испытал сладкое искупление в финале кубка над «Динамо», в котором он был назван лучшим игроком матча.

В команде «Шахтера», полной захватывающих бразильских талантов, Чигринский продолжал излучать чувство авторитета и надежности в тылу и, соответственно, продолжал привлекать восхищенные взгляды потенциальных женихов. Он отверг предложения со всей Европы продолжить работу в «Шахтере» в сезоне 2008/09, признав, что еще не время отказываться от регулярного стартового футбола под руководством Луческу.

В своем последнем сезоне Чигринский помог «Шахтеру» завоевать то, что еще называлось Кубком УЕФА, обыграв в финале бременский «Вердер». Однако именно в прославленном старшем брате этого соревнования, Лиге чемпионов, Чигринский привлек внимание своих будущих работодателей в «Барсе». «Шахтер» занял третье место в своей группе Лиги чемпионов, уступив «Барселоне» и «Спортингу», но Чигринский впечатлил в обоих матчах против подопечных Гвардиолы.

В финальном групповом матче на «Камп Ноу» «Барса» выставила ослабленную команду, которая уже была уверена в выходе в 1/8 финала, поскольку «Шахтер» преследовал третье место и путевку в последних раундах Кубка УЕФА.Чигринский оппортунистически отнесся к игре как к прослушиванию. В тот момент он осознавал повышенный интерес к нему и знал, что сильное выступление против влиятельной команды «Барсы» будет иметь большое значение.

Так и случилось. «Шахтер» выиграл со счетом 3:2, но Чигринский произвел неизгладимое впечатление на Гвардиолу, который тем летом выбрал молодого защитника в качестве главной трансферной цели. Гвардиола проинструктировал спортивного директора «Барселоны» Чики Бегиристайна, что ему нужна поддержка Жерара Пике и Карлеса Пуйоля в обороне, поэтому исполнительный директор действовал необходимым образом и начал закладывать основу для трансфера.

Чигринский играл против «Барселоны» в Суперкубке Европы 2009 года, который был выигран благодаря удару Педро в дополнительное время, но это должно было стать его удалением. Переход 22-летнего футболиста в новоиспеченные чемпионы Европы был согласован перед матчем, но, чтобы дать Чигринскому последний матч – или он так думал – в цветах «Шахтера», он не будет завершен до окончания игры.

Получив соответствующую лебединую песню «Шахтера», было объявлено о переходе Чигринского в «Барселону».Гвардиола нашел своего человека. Учитывая только что завершившийся сезон, «черно-белые» имели право преследовать любого защитника, но их дальновидный лидер подтвердил свое желание заполучить Чигринского.

Читать  |  Триплы подряд в «Барселоне» и «Интере», которые сделали Самюэля Это’О современной легендой

В то время казалось, что перевод — это большое дело. Стареющий Рафаэль Маркес был склонен к травмам, из-за чего центр обороны нуждался в укреплении ловкой, всепобеждающей машины Гвардиолы.Чигринский тоже подходил под требования Гвардиолы; проницательный, технически грамотный и уверенный в себе с мячом в ногах, казалось, что перспектива совместной работы пары принесет свои плоды в ближайшие годы. Однако футбол редко бывает свободен от осложнений.

С волосами ниже плеч и худощавым телосложением болельщики «Барселоны» могли бы подумать, что они подписали контракт с лидером трибьют-группы Grand Funk Railroad, а не с самым дорогим защитником в истории клуба.

Колосс защитника со свисающими на икры носками и степенью магистра в области интеллектуальной собственности, Чигринский был интригующей перспективой для тех, кто до этого момента не был знаком с его подвигами. Однако Гвардиолу не интересовала его склонность к гуманитарным наукам. Вместо этого тренер изучал способность защитника выводить мяч из-под защиты, его понимание позиции и простой, неторопливый стиль игры, который бросался в глаза.

Поскольку Пике и Пуйоль прочно зарекомендовали себя в качестве лучшего оборонительного партнера клуба, Чигринский был далек от того, чтобы узурпировать любого из них, когда он прибыл, но идея заключалась в том, чтобы он стабильно прогрессировал под опекой Гвардиолы.Он не подходил для защиты «Барсы» в Лиге чемпионов, но это не беспокоило Гвардиолу, поскольку Чигринский был долгосрочным игроком. Он не ожидал, что игрок сборной Украины взорвется на сцене, но адаптируется к новой культуре и способу игры с конечной целью стать долгосрочным преемником Пуйоля.

Ходят слухи, что Чигринский любит джаз, и, хотя его игра в «Барселоне» не отражала тон «Kind of Blue» Майлза Дэвиса , , его дебют был обнадеживающим, он отыграл полные 90 минут в победе над «Хетафе» со счетом 2:0 на выезде. .После матча Чигринский оптимистично оценил свой первый опыт общения с такими игроками, как Лионель Месси и Андрес Иньеста: «Я хочу поблагодарить своих товарищей по команде и тренеров, потому что они придали мне уверенности, что очень важно для игрока. очень доволен.»

В том же интервью Чигринский рассказал об одной из многих проблем, с которыми он столкнется во время своего пребывания в «Барсе», — языковом барьере: «Все говорят по-испански, и я ожидаю, что смогу его выучить.Сейчас это сложно, но это вопрос времени. Пока Пике и Яя Туре говорят со мной по-английски, но я хочу выучить испанский».

По правде говоря, Чигринского сбило с толку не столько произнесенное слово, сколько футбольный язык «Барселоны», то, как игроки доносили идеалы и видение Гвардиолы до остального мира. Ловкость ног, замысловатые треугольные передачи, точные двойки — все это было гранями всемогущей футбольной симфонии «Барсы», которые Чигринский счел непонятными.

Гвардиола продолжал работать за кулисами с Чигринским. Он дал ему драгоценное несколько стартов, чему не способствовали мелкие травмы, и хотя этого было недостаточно, чтобы подорвать уверенность игрока, беспощадные свистки его собственных болельщиков подорвали его. Они прибыли, как какофоническая волна кинжалов в сердце, во время поражения «Барселоны» от «Севильи» со счетом 2: 1 в Кубке Испании.

Читать  |  В пантеоне современных великих людей какое место занимают уникальные таланты Серхио Бускетса?

При счете 1:1 Чигринский потерял позицию, когда Диего Капель промчался мимо него.Когда нападающий «Севильи» устремился к воротам, Чигринский сбил его, совершив профессиональный фол, пропустив пенальти, и Альваро Негредо реализовал. Эта последовательность событий стала апогеем жаркого вечера для неуравновешенного защитника, который несколько раз делал неуместные передачи и пропускал захваты мяча. В результате домашние болельщики на «Камп Ноу» недвусмысленно выразили свое разочарование, наполнив арену свистками в адрес своего борющегося игрока.

Голова Чигринского опустилась, казалось, что земля вот-вот поглотит его.Гвардиола встал на его защиту после игры, сказав: «Дима — фантастический игрок, и чем больше его будут свистеть, тем больше поддержки мы ему окажем, потому что у него впереди еще много лет здесь». Это будет стоить ему дороже, чем другим (поселиться) из-за того, откуда он приехал, и цены, которую мы заплатили, но если кто-то и виноват, так это я, а не он».

Гвардиола в очередной раз недвусмысленно оценил «фантастического» Чигринского, но собственные комментарии игрока, отражающие его проблемы в «Барселоне», рисовали совершенно другую картину: «Когда я подписал контракт с «Барсой», я не думал, что буду играть без любые проблемы немедленно, но я не знал, что это будет так сложно.Здесь больше давления со стороны людей и со стороны СМИ, да и стиль игры сильно отличается от украинского. Одно дело желание, другое реальность».

Он не думал, что играть за «Барселону» будет так сложно. Это, пожалуй, показательный самородок самооценки. Не относиться к переходу в «Барселону» как к самому серьезному вызову, с которым он когда-либо сталкивался, было фатальной ошибкой с самого начала, и он как-то защищал себя от того, чтобы столкнуться с реальностью, как он выразился. Это, конечно, не обвинение Чигринского в самоуспокоенности или непрофессионализме, но такое понимание его менталитета оставляет нас с неизбежным выводом, что он был не готов к суровым испытаниям элитного футбола.

Гвардиола не подключен таким образом. Где-то за неуклюжими выступлениями он увидел хорошего игрока. К сожалению, ему никогда не дадут шанса изменить ситуацию. Через несколько месяцев Чигринский ушел, продан обратно в «Шахтер». Гвардиола был не в восторге, но Сандро Роселл, президент, сменивший Жоана Лапорту, настаивал на том, что продажа Чигринского необходима для увеличения финансов клуба. Учитывая непростые отношения Чигринского с болельщиками, Розелл знал, что не будет много слез по поводу ухода игрока.

Вот и все. Чигринский вернулся в Украину, но так и не восстановил свои позиции в той манере, в которой он был до «Барселоны». На данный момент его можно найти в афинском АЕКе, и хотя ему всего 31 год, шансы на то, что он снова появится на уровне, приравнивающемся к «Барселоне», кажутся в лучшем случае незначительными.

Иногда переход с большими деньгами в клуб мечты просто не срабатывает, будь то отсутствие формы, постоянные проблемы с травмами или чувство непреодолимого чувства ожидания. Конечно, также важно помнить, что не каждый игрок — Златан Ибрагимович.Швед наделен необычайной работоспособностью и желанием оставаться на вершине. Он не позволил разочаровывающему периоду в «Барселоне» помешать его славе, но другая личность, такая как Чигринский, отреагирует по-другому.

Это лишь одно из бесконечного списка напоминаний о том, насколько беспощадна эта игра на самом высоком уровне.

Мэтт Голт @MattGault11

Статья в The Moscow Times о деле Sibir Energy — Insights

18 июля 2005 г.

Статья в The Moscow Times по делу Sibir Energy

Карибский суд нацелился на «Сибнефть»

Люба Пронина

Суд на Британских Виргинских островах обязал самого богатого человека России Романа Абрамовича раскрыть все его активы на сумму более 1 миллиона долларов, заявил в воскресенье юрист Sibir Energy.

Sibir Energy, британская нефтяная компания, пытается вернуть долю в совместном предприятии в Сибири, которое, по ее утверждению, было разбавлено «Сибнефтью» Абрамовича без ее ведома.

Кроме того, постановление суда от 13 июля запрещает Абрамовичу и «Сибнефти» уменьшать свои активы до уровня ниже $1 млрд каждая, сообщил на брифинге юрист Sibir Energy Дмитрий Афанасьев .

Эта новость появилась в то время, когда широко распространено мнение, что «Сибнефть» ведет переговоры с «Газпромом» о возможной продаже.Абрамович владеет 57 процентами «Сибнефти» через свой холдинг Millhouse Capital.

Абрамович, состояние которого Forbes оценивает в 13,3 миллиарда долларов, и «Сибнефть» на прошлой неделе получили судебный запрет от суда Британских Виргинских островов, предписывающего им предоставить стоимость, местонахождение и другие данные обо всех активах, превышающих 1 миллион долларов, к 22 июля, сказал Афанасьев.

«Это временная мера для обеспечения того, чтобы у ответчиков [Сибнефти и Абрамовича] было достаточно активов для покрытия потенциальной ответственности в случае, если Sibir Energy удастся добиться окончательного судебного решения», — сказал Афанасьев .

Представитель «Сибнефти» Джон Манн заявил, что дело было безосновательным.

«Г-н Абрамович не является должностным лицом или директором «Сибнефти», и любое судебное разбирательство против него лично было бы ошибочным», — сказал он.

Манн сказал, что не видел решения суда и не будет комментировать дальше. «В отличие от «Сибири», мы не будем оспаривать это в прессе, а продолжим побеждать в суде».

Sibir Energy заявляет, что ее доля в «Сибнефть-Югре», совместном предприятии с равным участием 50 на 50, сократилась до менее чем 1 процента после того, как «Сибнефть» инициировала тайные собрания акционеров, на которых ее доля была размыта.

«Сибнефть-Югра» стоимостью около 4 миллиардов долларов США была создана в 2000 году для разработки Южно-Приобского нефтяного месторождения в Западной Сибири.

«Сибирь» предоставила лицензии, и «Сибнефть» должна была вложить денежные средства в размере более 300 миллионов долларов в разработку, заявил на брифинге генеральный директор «Сибири» Генри Кэмерон.

Судебная тяжба по поводу доли «Сибири» в «Сибнефть-Югре» началась в мае 2004 года.

«Все суды до сих пор выносили решения в нашу пользу. За последние две недели мы выиграли три дела в Москве и Ханты-Мансийске, — сказал Манн.«Сибнефть» действовала в соответствии с законом при участии в СП «Сибнефть-Югра».

«Сибнефть» неоднократно отрицала какие-либо правонарушения, заявляя, что действовала в соответствии с ранее достигнутой договоренностью между акционерами «Сибнефть-Югры», в том числе с Шалвой Чигиринским.

Чигиринский, московский магнат в сфере недвижимости и энергетики, владеет 47 процентами акций Sibir Energy и находится в процессе повышения своей доли до контрольного пакета в 51 процент.

И Чигиринский, и Sibir Energy отрицают наличие какого-либо более широкого соглашения.

«Сибнефть» также утверждала, что только российские суды должны иметь юрисдикцию в отношении спора.

Но, убедив судью на Британских Виргинских островах выслушать дело, Sibir Energy теперь находится в пределах досягаемости от активов «Сибнефти», сказал Стивен Дашевский, руководитель отдела исследований брокерской компании «Атон».

«Это первая серьезная и очень позитивная новость для Sibir Energy, так как это решение суда в юрисдикции, где зарегистрированы компании, аффилированные с «Сибнефтью».Поэтому любые судебные решения [на Британских Виргинских островах] влекут за собой достаточно серьезные юридические последствия для «Сибнефти», — сказал Дашевский. части в разбавлении акций были зарегистрированы там.

«A BVI судебный приказ подлежит исполнению в Великобритании, и если эти [офшорные] компании зарегистрированы на Британских Виргинских островах, будет немедленно применено взыскание в отношении их активов», — сказал проживающий в Москве британский юрист, не имеющий отношения к делу, пожелавший остаться неназванным из-за деликатности дела. костюм.

«Потенциально это может стать проблемой для него [Абрамовича], так как у него большой бизнес в Великобритании».

Помимо вынесения судебного запрета, Афанасьев сообщил, что на прошлой неделе суд также постановил назначить временного управляющего 49 процентами акций «Сибнефть-Югры», которые ранее принадлежали Sibir Energy.

Время Sibir Energy не стало большим сюрпризом, сказал Дашевский.

«[Сибнефть-Югра] — быстрорастущий бизнес, и к 2010 году на него будет приходиться от 20 до 25 процентов всей добычи «Сибнефти», — сказал он.

«Этот комплекс ограничений [в отношении Сибнефти и Абрамовича] очень важен, особенно в контексте продолжающихся переговоров между Сибнефтью и Газпромом».

Слухи о заинтересованности «Газпрома» в выкупе «Сибнефти» подтвердились в начале этого месяца, когда президент Владимир Путин заявил, что ему известно о таких переговорах.

«Каждый потенциальный покупатель «Сибнефти» должен быть предупрежден о том, что существует серьезная юридическая проблема [и] ему придется решить, хотят ли они идти на риск», — сказал юрист Афанасьев .

Дело Sibir Energy против «Сибнефти» также находится под пристальным вниманием мэрии Москвы, которая контролирует Московскую нефтегазовую компанию. Югорский кол.

«Мы намерены идти до конца в борьбе за возврат нашего имущества», — заявил на брифинге первый вице-президент МНГК Евгений Савостьянов.

Следующее слушание в Восточно-карибском верховном суде в Высоком суде правосудия Британских Виргинских островов назначено на 27 июля Афанасьев сказал

Попечительский совет

Министр иностранных дел Российской Федерации, Председатель Наблюдательного совета и Попечительского совета МГИМО

Учредитель USM Holdings, Заместитель Председателя Попечительского Совета

Президент, Председатель Правления ГМК «Норильский никель», Президент ПАО «Интеррос», заместитель Председателя Попечительского совета МГМИО

Председатель Правления АО «Газпромбанк»

Президент Alliance Group

генеральный директор и председатель правления ОАО «РЖД»

Губернатор Московской области

Председатель правления Ассоциации юристов России

Исполнительный директор Фонда поддержки общественной дипломатии имени Горчакова

Вице-президент АО «Международная калийная компания»

Глава Одинцовского муниципального образования

Президент «Мегаполиса»

Член Комитета Совета Федерации по Регламенту и парламентскому управлению

Генеральный директор АО «УГМК»

Председатель Правления ПАО «СИБУР Холдинг»

Основатель и Президент Группы Маркетинговых Коммуникаций «АДВ»

Заместитель Председателя Совета Федерации Федерального Собрания Российской Федерации

Президент, Председатель Правления Банк ВТБ, член Наблюдательного совета

Министр образования Российской Федерации

Президент Некоммерческого партнерства содействия развитию горнодобывающей промышленности, Председатель Совета директоров КАРАКАН ИНВЕСТ

Член Попечительского совета МГИМО

Президент АО «Международная калийная компания»

Помощник Президента Российской Федерации

Руководитель Славянского ЭКО холдинга

Министр сельского хозяйства Российской Федерации

Председатель Совета директоров «Ферринг Фармасьютикалз», Почетный консул Российской Федерации в Лозанне

Генеральный директор и главный редактор «Независимой газеты»

Генеральный директор, Председатель Правления ОАО «НК «Роснефть»

Старший банкир ВЭБ.Государственная корпорация развития РФ

Мажоритарный владелец, член Совета директоров группы компаний «РЕГИОН»

Уполномоченный при Президенте по правам предпринимателей

Ректор МГИМО-Университета, действительный член Российской академии наук

Помощник Президента Российской Федерации

Заместитель Председателя Комитета Совета Федерации по аграрно-продовольственной политике и природопользованию

Генеральный директор Ростеха

Председатель Совета директоров Ильского нефтеперерабатывающего завода «КНГК-ИНПЗ»

Член правления Евразийского банка, совладелец компаний ERG PLC (Eurasian Natural Resources Corporation) и «IMR» (International Mineral Resources)

Президент ООО «Информпромтехнология»

Арт4.ru, в Москве открывается музей современного искусства

Но на этом преклонения Маркина перед традициями, похоже, заканчиваются. Глянцевый каталог Art4.ru шокирует любителей традиционного искусства: его предисловие под названием «Что-то вроде предисловия» полно ругательств.

Около 300 работ, выставленных на Art4.ru, не имеют традиционных музейных этикеток, да и вообще каких-либо этикеток. Ироничный нарисованный Кабаковым текст в главном зале высмеивает музейные этикетки. Там будут компьютерные мониторы для посетителей, заинтересованных в дополнительной информации, а все изображения и пояснения размещены по адресу www.art4.ru .

В пресс-релизе перед открытием были обещаны пуфики для посетителей, чтобы они могли осмотреть произведения искусства, и, самое главное, симпатичные девушки, наблюдающие за музеем.

Сварливые старухи, размещенные как ястребы в залах государственных музеев по всей России, являются особой больной темой для Маркина и его сотрудников, состоящих в основном из его 20-летних кибер-друзей — Маркин — заядлый блоггер — большинство из которых не имеет отношения к миру искусства опыт. 28-летний директор Art4.ru, известный только по имени Генри, до недавнего времени был оптовым продавцом игрушек.Теперь он авторитетно рассказывает о планах музея, который будет ориентирован на молодежь и будет работать допоздна по пятницам и субботам.

«Выгнать всех этих бабушек», — сказал Генри о стереотипных музейных мониторах. «Все девушки здесь будут молодые, красивые и приветливые, с улыбкой, чтобы люди не боялись к ним подойти», — сказал он о сотрудниках Art4.ru. «Поставим мебель. Будет Wi-Fi интернет, как интернет-кафе, с выходом на наш сайт, вся информация.Это будет самообслуживание. Будет библиотека. Посетители смогут взять книгу, посидеть здесь, выпить кофе и почитать».

Маркин недавно использовал свой блог, чтобы объявить о планах конкурса на создание памятника бывшему президенту Борису Ельцину, который умер в апреле. Зураб Церетели, скульптор, оставивший неизгладимый след в центре Москвы работами, которые многие критики называют безвкусными, заявил, что создаст образ первого президента России.

«Мы хотим, чтобы современное искусство выплеснулось на улицу, на квадратов, — сказал Маркин.«Как это делается во всем мире. Не ужасные медведи Церетели с рыбой и утками у Кремля».

Башня Фостера «Россия» стала жертвой кредитного кризиса | Архитектура

Британский архитектор Норман Фостер стал очередной громкой жертвой мирового экономического кризиса вчера, когда застройщики в России заявили, что отказываются от планов построить по его проекту самый высокий небоскреб Европы.

600-метровую башню «Россия», которая должна была затмить Кэнэри-Уорф в Лондоне, больше не будут строить, заявил магнат в сфере недвижимости Шалва Чигиринский.Он признал, что у его фирмы закончились деньги.

«Скажите спасибо [бывшему председателю Федеральной резервной системы США] Алану Гринспену и Джорджу Бушу», — сказал Чигиринский агентству Рейтер вчера вечером, добавив, что из-за финансового кризиса в США невозможно получить кредит.

Работы над 118-этажной башней архитектора начались в прошлом году. Небоскреб был расположен на промышленной земле рядом с Москвой-рекой, в окружении старых складов и многоквартирных домов советской эпохи. Небоскреб должен был стать центром нового делового района и символом возрождающейся экономической мощи России.

Его отмена — позор для Кремля. Российское руководство изо всех сил пыталось объяснить своим гражданам, почему страна столкнулась с экономическим кризисом, несмотря на то, что за последние годы заработала миллиарды долларов на стремительном росте цен на нефть.

Вчера Россия также объявила о пересмотре расходов на зимние Олимпийские игры 2014 года, заявив, что «поставила цель сэкономить немного денег». Стоимость игр составляет 12 миллиардов долларов (8 миллиардов фунтов стерлингов), из которых 5 миллиардов долларов должны поступить из частных источников. «Конечно, есть трудности с получением кредитов, но никто из инвесторов не уходит», — сказал главный игровой чиновник Дмитрий Козак.

Кризис привел к отмене других престижных проектов, в том числе новой штаб-квартиры энергетического гиганта «Газпром» в Санкт-Петербурге. Местные власти отказались прислушаться к протестам местных жителей, которые жаловались, что башня разрушит горизонт города. Они бросили проект, когда у них закончились деньги.

Вчера в офисе лорда Фостера заявили, что им ничего не известно о каких-либо планах остановить работы на московской башне. «Насколько нам известно, проект не приостановлен», — заявила пресс-секретарь Foster and Partners.

Ракетообразное здание лорда Фостера должно было стать самой высокой башней с естественной вентиляцией в мире. Он также был признан одним из самых экологичных зданий в Европе.

Российский бизнесмен, скрывающийся в Израиле, связан со увольнением мэра Москвы? — Гаарец | Новости Израиля, данные о вакцинах от COVID, Ближний Восток и еврейский мир сделки с недвижимостью его и его жены.Жена Лужкова Елена Батурина стала самой богатой женщиной России с состоянием более 2 миллиардов долларов.

Российско-еврейский миллиардер и магнат недвижимости Шалва Чигиринский, один из деловых партнеров Батуриной, был вынужден покинуть Россию и бежать в Лондон.Но после расследования в Великобритании Чигиринский в прошлом году сбежал в Израиль.

Чигиринский также был деловым партнером Романа Абрамовича.

Будьте в курсе: Подпишитесь на нашу рассылку
Спасибо за регистрацию.

У нас есть еще новости, которые, как мы думаем, будут вам интересны.

кликните сюда
Ой. Что-то пошло не так.

Повторите попытку позже.

Попробуй снова
Спасибо,

Указанный вами адрес электронной почты уже зарегистрирован.

Закрывать ‘ .

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован.